次世代半導体の量産技術確立へ一歩、九大が六方晶窒化ホウ素とグラフェンの大面積積層技術を開発

　九州大学の深町悟研究スタッフとパブロ・ソリス―フェルナンデス特任准教授、吾郷浩樹主幹教授らは7日、六方晶窒化ホウ素（hBN）とグラフェンの大面積積層技術を開発したと発表した。
　5センチメートル角サイズの原子シートを貼り合わせる。
　hBNで保護しグラフェンの特性が大幅に上昇した。
　グラフェンセンサーや次世代半導体の量産技術確立に向けた一歩となる。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ　2/9(木) 15:10
https://news.yahoo.co.jp/articles/6ad74e5117a84ab4ac8cc28052e7a68a4c8dab4f