【次世代メモリ】東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発 [すらいむ★]
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東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発
著者：波留久泉
東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)は6月1日、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究により、0.7〜1.2Vという低い動作電圧、10年のデータ保持時間と100兆回の書き換えが可能な長寿命の強誘電体メモリを開発することに成功したと発表した。
同成果は、東大大学院 工学系研究科 電気系工学専攻の田原建人大学院生、同・トープラサートポン・カシディット講師、同・竹中充教授、同・高木信一教授らと、富士通セミコンダクターメモリソリューションの共同研究チームによるもの。
詳細は6月1日付で国際会議「Symposia on VLSI Technology and Circuits」で発行される「Technical Digest」に掲載されるという。
（以下略、続きはソースでご確認下さい）
マイナビニュース 2021/06/02 06:00
https://news.mynavi.jp/article/20210602-1897881/ ニートを批判する奴ってバカじゃねぇの。
本当に国の事を考えてるんなら半グレやヤクザをまず批判するべきだろ。
恐喝に麻薬や銃の密売、最近はコロナに乗っかったマスク転売にワクチン詐欺をしてるのもいるし完全に治安悪化の元だし国の恥だ。
これらに比べたらニートなんて無害だ無害。ただひっそりと親と暮らしてる普通の市民じゃねぇか。
ああ、まあ分かるよ
半グレやヤクザは怖いもんな？
それとも映画やゲームの影響で反社組織をカッコいいとでも思ったか？（笑）
おいそこのお前だよ卑怯者。
ヤクザをカッコいいと思い込んで褒め称え、ただ大人しく暮らしてるだけのニートを叩く。
卑怯な弱い者イジメのてめぇだよ。強い者には怖くて言えず弱い者だけを叩く、
そんなお前が正義だと思うなよ
危険なチャイナマフィアに名指しで「将来刑務所だぞどうすんの」「人から奪わずに自分で稼いで納税しなさい」
って言ってみろ。お前が一般人なら街宣か顔出してyoutubeで。メディア側の人間ならテレビ放送で。どうせ怖くて言えねえだろ。
卑怯者の勘違いが
お前はただの弱い者にしか強く言えないイジメっ子に過ぎない。 将来的にはマザーボードにワンチップで集約できる感じ >>3
CPUに内蔵した方がいいとおもうけど
不足分を外部メモリで補う >>1
だが日本メーカーから製品は発売される事は無かった いいから実用化してから発表してくんない
21世紀が四半世紀も経とうというのになんも実用化してねー０ ハフニウムの入手が難しかったら、そうしてもしもそれが原産地が中国に
かたまっていたら、無駄なリスクを抱え込むことになりそうですな。
どうなんだろうか？ >>11
ハフニウム自体は先端プロセスで既に使われてる。産地はオーストラリアの一極集中状態 量産化と微細化と低価格化ができなければMRAMの二の舞 >>13
これもMRAMも組み込み向けで単体でなんて出て来ないよ >>9
実用化のスピードは中国様にお任せ
3ヶ月で実用化してくれるぞ
日本は完璧求めるあまり実用化出来ない
多少不良があっても寿命が短くてもやったもん勝ちなのを学べよ ＞産地はオーストラリアの一極集中状態
オーストラリアが売り惜しみしたら、暴騰しそうですね。 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
