東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発
著者：波留久泉

　東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)は6月1日、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究により、0.7〜1.2Vという低い動作電圧、10年のデータ保持時間と100兆回の書き換えが可能な長寿命の強誘電体メモリを開発することに成功したと発表した。

　同成果は、東大大学院 工学系研究科 電気系工学専攻の田原建人大学院生、同・トープラサートポン・カシディット講師、同・竹中充教授、同・高木信一教授らと、富士通セミコンダクターメモリソリューションの共同研究チームによるもの。
　詳細は6月1日付で国際会議「Symposia on VLSI Technology and Circuits」で発行される「Technical Digest」に掲載されるという。

（以下略、続きはソースでご確認下さい）

マイナビニュース　2021/06/02 06:00
https://news.mynavi.jp/article/20210602-1897881/