【韓国】　サムスン、2018年に最新EUV(弱レントゲン線)技術で7nm半導体量産　TSMCを追い越す　2017/07/11
https://egg.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1499778140/66
11日、サムスンは半導体技術戦略を説明した。次世代の７nmから最先端のEUV
(弱レントゲン線)露光技術を取り入れ2018年から量産開始する。ＬＳＩ受託生産で
世界首位のTSMCを追い越し先行する。

サムスンは大規模集積回路ＬＳＩの受託生産で、カギを握る回路線幅の微細化ロ
ードマップを示した。2018年からの量産に最新「EUV(弱レントゲン線)露光」を使い
2018年は7nm、2019年は５nm、2020年は４nmでＬＳＩ受託生産で世界から注文
を受けるとした。

最新EUV(弱レントゲン線)露光ステッパー技術で回路の形成工程を大幅に効率
化でき、７nm以下の微細化を可能にする革新技術。サムスン幹部は「EUV(弱レ
ントゲン線)露光装置を全面的に量産工程に採用するのは世界初」と強調する。
世界で唯一のEUVステッパーのASML社は7〜5nm露光装置22台のサムスン受
注を明かしている。