【トランジスタ】電力供給なしにトランジスタの電流を増幅、静岡大学などが成功[12/25]
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静岡大学の小野行徳教授らのグループは、日本電信電話株式会社、北海道大学の研究グループと共同で、電力供給なしにトランジスタの電流を増幅させることに成功した。新たな低消費電力デバイスの開発が期待される。
コンピュータの高性能化は、構成部品であるトランジスタの電流を、いかに少ない電力で増大させるかが鍵だ。従来の増幅法では電力供給が不可欠で、供給電力が発熱の原因となることが性能向上の阻害要因だった。
通常、物質中の電子は、電位の高い場所から低い場所へと移動し、等電位の端子間に電子は流れず電流は生じない。しかし、電子同士の衝突頻度が非常に高い特別な場合には、電子は流体のように振る舞い、近くに強い流れがあると、その流れに沿った新たな流れが生じる。この振る舞いは電子流体と呼ばれ、これまでは、ヒ化ガリウム(GaAs)などの一部の物質で、マイクロメートル以上の大きなスケールでしか観測されなかった。
今回、微細なシリコン内で生じる強電界を利用することにより、ナノメートルスケールのトランジスタにおいて電子流体を実現し、電位がゼロの接地した付加端子から電流を発生させ、これを利用したデバイスにより電流増幅に成功した。これは、ノズルから高圧で水や空気を噴出させるアスピレーター(ジェットポンプ)の原理を応用したもので、これまで困難と考えられていた電流増幅に伴う発熱の抑制も可能となった。
今回の実証実験は、90ナノメートル程度のサイズのデバイスを用いたため、8K(−265.15℃)の低温下で行われたが、さらに微細化することで動作温度の向上が期待できる。今後は、実用化に向けた室温動作の実証を目指すとしている。
論文情報:【Nature Communications】Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
https://www.nature.com/articles/s41467-018-07278-8
https://univ-journal.jp/24158/ 8K(−265.15℃)の低温下で行われたが←www 簡単に電流をパワーアップする方法があるけど
上げ過ぎるオチがあるから災難だなw 室温レベルで、 実現すれば、かなりの省電力デバイスができる。
微細化加工のみで 強電界をつくり、あと 入り口と出口の 電圧差だけで ジェットポンプ効果が得られる?なら
画期的。日本の特許で。 >>1
強電界を利用ということはFETなんだろうけど、付加端子ってのはバルクかソースに追加してんのかな
そことソースの間に電位差があったとかそういうオチではないよね
一応期待してますです 今回の実証実験は、90ナノメートル程度のサイズのデバイスを用いたため、8K(−265.15℃)の低温下で行われた
はい、解散w >>3 >>13
今の主流は15nm
このデバイスをどこまで微細化できるか知らないが、大いに期待できる >>14
主流?ネットの記事の主流かね?
まさかモバイルのCPUだけが半導体とおもってはいないよな
ついでに学生なら半導体業界にきてくれよ
ちゃんとした理系なら回路でもレイアウトでも設計できると思うよ どういうこと?
電力供給なしで増幅できるなら
出力を入力につなげればどんどん電流増えるの? コンデンサーの放電みたいにチャージが要るとか無いよな? 温度を馬鹿にしてるやつは今のハードディスクの部品が昔は
液体ヘリウム温度でしか動作しなかったのを知らない 学生の時、
増幅器って言われて、
エネルギー保存の法則を打ち破る技術なのかって、驚いたけど、
実際は全然違ってだな、
1Aの電流を流すのに、0.1AでON/OFF ができるって意味なので、
勘違いしないように。 ほんとそれ
単なるリレーみたいなもんなのに
増幅って言いすぎ よくわからんが
そもそも「増幅」って言葉の定義に問題があると思ふ(´・ω・`)
単なる投影だろw
B電源を「拡大した波形」にしたものであり、劣化コピーだよん 通常、物質中の電子は、電位の高い場所から低い場所へと移動し
↑
嘘つけえ! 大電流が簡単に作る技術って すでに一般に出ているよ
従って 特許取れないって最悪なオチw ただの電磁誘導をフリーエナジーとか言ってyoutubeにあげるのやめろよ >>26
ちなみに本件と無関係だけど
常温で大電流が作れる技術 ね これ誰が書いてんの?
トランジスタの動作のトコ、デタラメなんだけど? パッシブトランジスタとか最高やん!
絶対零度じゃなきゃな 電子の流れは電気を阻害する起因だよ。
真の電気は電子の流れはない。 強電界って?
これで、エネルギーもらってるじゃねぇ?
励振させてるんだろ これで
よくわからんな。
信号電流で何かを励起させるってこと?
あぁ、フリーエナジーってヤツだよね。
今このスレで読んだ。 この記事もしかして
Ib-Vbe曲線が普通のTRだと0.6Vから立ち上がっているところが0Vから立ち上げることが出来た
ことを言っているのか? >>1読んでる限り、ただのFETにしか読み取れない 安倍「何か知らんけどこの後の研究は移民にやらせますね。日本人には勿体無い」 >>9
当然特許は抑えるんだろうけど,半導体製造する
隣国の連中は払わないだろ。大型特許となると欧
州も米国も姑息な手を使って払わないけどな。 >電力供給なしにトランジスタの電流を増幅させることに成功した。
電圧が下がるとかしない限り永久機関の説明では? >>13
この1秒に数千回の足し算のできる電子計算機というものは、部屋一杯の大きさで何十億円で
はい、解散w
そんなもん誰もが使えるようになるとしても一万年はかかりそうだろ! 誰も生きてねえわ そもそも掛け算割り算はできるのか 十万年先か 無駄金かけるな税金かけるなそんな無駄な研究なんか一切やめろ死ね! 増幅器(たとえばメガホン)の中では
@マイクが発生する電流の変化を抵抗器に流す。
A電流値を中のちっちゃいオッサンが読み取って、別の抵抗の値をぐいんぐいん変化させる。
Bそれに電池をつなぐと入ってきたより大きな電流の変化ができる。
Cスピーカーをつないどけば、すっげーデカい音量でスピーカを鳴らすことができる。
つまり増幅というのは「エネルギーを生み出すこと」ではなくて
電池のエネルギーを利用して「入れた電流の変化よりデカい電流の変化を生み出す」ことである
論文みたらFETの用語とバイポーラ−の用語が混在してて混乱したが、要するにベース接地でもコレクタの
負荷抵抗をゼロにしたら電流増幅できたって話だな、でも電流に仕事させてないからなー
役に立つ回路にすると仕事させるためのコレクタの負荷でコレクタ電位下がってベースからの電子は流れ込
まなくなって、話は破綻だな インチキくせーと思ったら、Nature Communicationsか
電子部品輸出は中国国産で激減しそうだけど、開発はまだまだ期待できるな
地方大からってのも層の厚さを感じる
集積回路にしなければ米国から文句でないだろう
用途の予想は、生体センサーやIoTでの測定器 >>14
プロセスルールがトランジスタのどこの長さか分かってねーだろ これの新しいところはなに?
電力供給なし?
ナノメートル?
超低温?
付加端子(=4番目の足?)?
静岡大学? >>4
どうしてそういう風に思うのかがむしろ不思議。 >>1
チョンやチュンのスパイに気をつけろ!
京都大学では北チョンの核開発に当大学教授が重要な役目を果たしたぞ 水道管につけるだけで水質が改善できるリングみたいなものか。 強電界を作るのに電力を使うから、トータルでは変わらないだろうけど、何かに使えそう。 2SC1815が廃盤になると聞いて200個買ったけど全然減らん。 >>21
これは俺もあった笑
ちなみにこの考え方で、なおかつ昔のMOSなら、ゲート〜バルク間のリークがほとんどなく電流増幅率は猛烈な値になる
まぁ、この増幅率自体バイポーラなら適用できる思想だろうかね つまり、鉱石ラジオで増幅が可能になるということですね。 >>39
電源は強いて言えばラジオ局が出してる電波そのものなんじゃねえの >>21
アンプリファーを増幅器と訳したバカのおかげです 8Kにするにあたりどれだけ電力使ってるんだよwwwwwwwwwwwwww
つかエネルギー保存の法則ドコ行ったよwwwwwwwwwwwwwww >>15 >>52
サムスンの方ですか?
くやしさ満点のレスですなw いまは運動量が保存されない散乱が発生する構造なので損失が発生している。
でも電子-電子散乱が主となる制御・構造が実現できればこの損失は無くなるよね、と書いてあるようだ。 そもそもトランジスタが完成形とは思えない。
まだまだ他の形態があると思う。
実際、トランジスタやICや液晶などが生まれて成長してる時代に
生きているなんてワクワクするな。
とりあえず発熱しないICならさらに集積度が上げられるから
コンピューターやスマホなどの電子機器の値段は下がるだろう。 >>63
だね
みんなが使ってるスイカとかもそういう意味では似たようなもん これって、飛ばす電子の量を少なくすることとバーターになるのでは。 ここで馬鹿にしてるやつの一体何人が素子研究をしてるというのか >微細なシリコン内で生じる強電界を利用することにより
この強電界とやらを発生させるためには電力が必要なんじゃないの?
結局、普通のトランジスタのほうが省電力だったとか言うオチはないよな >>16
ポジティブフィードバック
発振器作ったな
これで作れば永久発電機だなw >>84
トランジスタの素子は直接配線が必須だが、
それなしで増幅できるというところが微細回路では重要になるってことだろう。
いまの半導体はトランジスタ部分より配線部分のほうが圧倒的に大きいことも
しらない輩ばかりだからな。 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています