【半導体】キオクシア、112層フラッシュメモリーを開発【3D TLC】
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
半導体大手のキオクシア（旧東芝メモリ）は31日、112層の記憶素子を積層したフラッシュメモリーを試作したと発表した。回路技術などを最適化して、現行の96層品に比べ単位面積あたりの記憶容量を約20%向上した。協業先の米ウエスタンデジタル（WD）と共同開発した。
試作品の容量は512ギガ（ギガは10億）ビットで、1つの記憶素子に3ビットを記録する。キオクシアは3月までにサンプル出荷を開始する予定。WDは量産時期について「2020年の後半を予定している」と発表した。両社が共同運営する四日市工場（三重県四日市市）や北上工場（岩手県北上市）で生産する。
調査会社などによると、キオクシアとWDはフラッシュメモリーの世界シェアで2位、3位を占める。首位の韓国サムスン電子は、記憶素子を100層以上積層した製品の量産を19年6月に始めたと発表している。
（詳細はこちら）
キオクシア：第5世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の開発について | Business Wire
https://www.businesswire.com/news/home/20200130005352/ja/
2020/1/31 15:28
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO55084290R30C20A1X20000/ もう騙されるな
もう盗まれるな
サムスンにまんまとやられたお人よしあほ日本
https://business.nikkei.com/atcl/NBD/19/special/00273/?i_cid=nbpnb_tobira_191111_3
週末小遣い稼ぎで韓国に行って虎の子の技術を渡した
売国技術者は国家反逆罪で裁判にかけるべし
阿部よ日本の半導体産業の復興を サムスンにまんまとやられた
お人よしあほ日本
https://business.nikkei.com/atcl/NBD/19/special/00273/?i_cid=nbpnb_tobira_191111_3
週末小遣い稼ぎで韓国に行って虎の子の技術を渡した
売国技術者は国家反逆罪で裁判にかけるべし
阿部よ日本の半導体産業の復興を サムスンにまんまとやられたお人よしあほ日本
https://business.nikkei.com/atcl/NBD/19/special/00273/?i_cid=nbpnb_tobira_191111_3
週末小遣い稼ぎで韓国に行って虎の子の技術を渡した
売国技術者は国家反逆罪で裁判にかけるべし
阿部よ日本の半導体産業の復興を サムスンにまんまとやられたお人よしあほ日本
https://business.nikkei.com/atcl/NBD/19/special/00273/?i_cid=nbpnb_tobira_191111_3
週末小遣い稼ぎで韓国に行って虎の子の技術を渡した
売国技術者は国家反逆罪で裁判にかけるべし
阿部よ日本の半導体産業の復興を サムスンにまんまとやられたお人よしあほ日本
https://business.nikkei.com/atcl/NBD/19/special/00273/?i_cid=nbpnb_tobira_191111_3
週末小遣い稼ぎで韓国に行って虎の子の技術を渡した
売国技術者は国家反逆罪で裁判にかけるべし
阿部よ日本の半導体産業の復興を すぐ売国だのなんだのと…
その技術者を不況を言い訳にしてピンハネ冷遇してたのはどこの誰だと。 東芝傘下でなくなり、資本投入され開発できるなんて、日本企業の経営者の無能さがわかる。
今なら、アイリスオーヤマ、京セラ、日本電産、ホンハイ、ソニー、ＮＥＣらに買収された方が幸せ。 積層が増えると歩留まり落ちるんだろうかね
ギリギリ妥協できるラインが112層だったとか？ >>63
東芝が握ってたらフラッシュメモリなんて発展しなかっただろうしなｗ
恐らく他の記憶媒体が主流になってただろう 東芝のSSDは一番耐久性低くて、それを公表したら訴訟圧力で公開を停止させられたね >>70
正直言うと、最初期の頃の東芝のSSDは酷かったね
（あのピンク？のパッケージだったころ
上書きは出来なくなるし、壊れるしでまぁ散々だったね >>71
これの一つ前の64層ジャングルジムの時は
国が幾らか金出してたよね、確か >>63
いや、これは年次更新ぐらいの進化で親会社云々の話ではないよ。 >>2
しかし悔しいが一度で覚えてしまった。
まあ日本人以外には無意味だが。 容量上がるのにチップ容量512Gbitで出荷するということは歩留まりが悪いと推察される
まだ大チップで量産は難しいんだろうな 物理限界が来るのは随分前から見えてたのに、
「ともかく容量を増やす」為の3D化だけで、
抜本的な対策は結局何も取ってないのなw
抜本的な方針転換ができず、満州事変からズルズル太平洋戦争になだれ込み、
停戦も和平もできずに、流れで戦線を拡大し、そのまま流れで敗退し、
原爆を落とされるまで終戦を決断できなかった、
80年前の駄目っぷりと、日本の組織は何も変わってないw 次世代技術の開発はどこでもやってるけど、目処が立つまで
現有技術を積み重ねて凌ぐのは仕方ないっしょ まあ、北上工場が本格稼働してからが、一つの勝負所だよな。
そして、来年、四日市の最新設備が稼働すれば、フラッシュ型汎用品については、
サムソンを凌駕することもありうるよ。 サムスンを超えるのは相当時間かかる
ピョンテク工場は四日市の5倍くらいの敷地あるし 肺炎ウイルスでサムスンの長安工場は動くのか？
ハイニクスの無錫ＤＲＡＭ工場の方がやばいかも。 北上工場稼働はＮＡＮＤ価格上昇局面でラッキーだろ。 なんて社名だよｗ
どうせこんな名前に決めるのはジジイだろうが >>86
日本としては、地方経済活性化のためにも、
半導体素材や装置等の供給を書類審査で半年くらい遅延させて、
韓国半導体メーカーを弱体化させることをしようぜ。 その前に海外勢に依存してる業界が潰れるわ
既に装置やら材料でも日本の弱体化が 最先端技術の規制強化
中国への技術漏洩を懸念し、技術に対する輸出規制を厳格にする。
今春には、最先端分野の規制を盛り込んだ輸出管理改革法（ECRA）が施行される。
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO55077710R30C20A1TCJ000/ >>73
MLCのをいくつか使ってるけどうちのは一切壊れてないよ 東芝-WD連合の3D NAND、製品の量産にSamsungの技術を採用
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1223976.html
> ワード線の抵抗を下げるためにSamsungの技術を選択
> 上記のような経緯があるにも関わらず、東芝-WD連合は3D NANDフラッシュメモリの製品に、
> TCATと類似のメモリセル構造を採用していた。
> このことが正式に明らかになったのは、
> 2019年12月8日に開催された国際学会IEDMのショートコースだとみられる。
>
> Western Digital(WD)が3D NANDフラッシュ技術について講演し、
> 東芝がこれまで国際学会で公表してきたBiCS技術の構造ではなく、
> SamsungのTCAT技術と類似したメモリセル構造をスライドで示したのだ。
> TCAT技術と同様の「ゲートリプレイスメント」プロセスである。
> 窒化膜を除去してゲート絶縁膜を形成し、タングステン金属(ワード線)を埋め込んだ。
>
> ショートコースにおける講演直後の質疑応答では、
> WDの講演者は「すべての製品」でタングステン金属ゲートの「ゲートリプレイスメント」プロセスを採用していること、
> また書き込みと読み出しの性能を高めることが
> 「ゲートリプレイスメント」プロセスを選択した理由だと説明していた。
>
> ここで疑問となるのは「すべての製品」が何を意味するかだ。
> 東芝-WD連合が3D NANDフラッシュメモリの量産を本格的に開始したのは
> 64層の3D NAND製品(技術世代は「BiCS3」)から、時期としては2017年からなので、
> この世代からの可能性が高い。
> 2016年12月に東芝はアナリスト向け説明会で「BiCS3」技術の概要を公表している。
> このときに使われたスライドを再び眺めると、メモリセルの構造が「ゲートリプレイスメント」プロセスに見えるのだ。
>
>
> 東芝とWDの公表資料から見えるメモリセル構造の違い
>
> じつは、東芝-WD連合がSamsungの「ゲートリプレイスメント」プロセスと
> タングステン金属ゲートを製品に採用していることは、3年ほど前からフラッシュメモリ業界では噂になっていた。
> このことを東芝は、かなり意図的に隠してきたようだ。「採用していない」とはもちろん言わないが、
> 「採用している」とも公式には表明しない。
> 曖昧な状態が続いていた。 キオクシア、割といい名前だと思うし
ダサくもない。 >>101
だが、もう長くはないだろう。
生産工場として中華かアメリカ企業に売却される。 東芝のSSDは地雷
踏んだら死ぬ
業務では使いたくない >>104
わしはボケてはおらん！
失敬な若造め！ ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
