【技術】4nmの生産を2020年に開始、サムスンが宣言 [無断転載禁止]©2ch.net
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
韓国Samsung Electronics社は、ファンドリー事業の2020年までのプロセスロードマップを、54th Design Automation Conference（2017年6月18日〜22日）と同じ米国オースチンで開かれたイベント「Enabling the Next Wave of Design Innovation」（米Synopsys社とSamsungが6月20日に共催）で公開した。2020年には、同社独自のトランジスタ「MBCFET（Multi-Bridge-Channel MOSFET）」を使って、4nmの生産を始めるという。
同社は2017年5月24日にシリコンバレーでプライベートイベント「2017 Samsung Foundry Forum」を開催しており、その際に公開したロードマップを今回のイベントでも見せたようだ。今回、Samsungのプレゼンテーションを行ったのはKuang-Kuo Lin氏（Director, Foundry Mareketing (Ecosystem)である。
同氏が最初に見せたのが、Samsungの半導体事業におけるファンドリー部門のポジションが上がったという内容のスライドである。これまで、同社の半導体事業はメモリーとシステムLSIの2部門からなっていたが、ファンドリー事業が好調なため、これら2部門と並ぶようになった。すなわち、現在、Samsungの半導体事業は、メモリー、システムLSI、ファンドリーの3部門制になり、ファンドリー事業の発言権が大きくなったとのことだった。
続いて、量産中の世代の3つのプロセス、すなわち、28nmFD-SOI、14nm FinFET,、10nm FinFETのトピックが紹介された。例えば、28nm FD-SOIに関しては、RF PDKが提供可能になったことや、埋め込みMRAMが開発中のことなど。14nm FinFETに関しては、4番目の「14LPU」のPDKが提供可能になったことなど。10nmFinFETに関しては量産が開始されたこと、2番目の「10LPP」が評価段階に入ったことなどである。
そして、Lin氏は、2020年までのプロセスロードマップを見せた。2018年には1部の層をEUV露光する7nm FinFETプロセスでの量産を始めるという。2019年には、EUVを使う6nm／5nm FinFETプロセス、および2世代目のFD-SOIである18nmの「18FDS」での量産を始める予定だとした。そして、バルクプロセスではFinFETの時代が終わり、同社独自のトランジスタであるMBCFETを使う4nmプロセスでの量産を2020年に始めるとしていた。
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/060900133/061200003/?P=1 忙しそうだな南朝鮮は2020年は月にも行くんだろ？
絶対行くよな？まさか嘘じゃないよね？ 製造装置はどこが作ってるのか気になるな
ネトウヨは製造装置が日本製かどうか調べてくれ >>1
夢は大きく持たないと投資家を騙せないからなww
おまえらが独自で4nmを量産化できるなら
世界は1nmが主流なwww >>7
もの凄いバカだな。nmの前の数字がどんな風に変わって行ってるか記事すら読めないんだろ。 >>7
サムスンが世界の先端を行ってるんですがそれは.... 半導体露光装置の業界はASML、ニコン、キヤノンの3社
EUV露光装置を提供しているのはASMLのみ
↓
当然特許も沢山持ってるはず
↓
ニコン、キヤノンはハードルが高すぎると及び腰
↓
機器を持ってるのはIntel、台湾のTSMC、韓国のサムスン、他数社
↓
ASMLでさえ量産できる装置の見通しは立っていない
↓
「ウリが独自で4nmの生産を始めるニダ」
察するレベルwwww ∬
∫ ∧_,._∧ ｳｪｰ､ﾊｯﾊｯﾊ
~━⊂<ヽ｀∀´,>つ-、
／／/ ./_/::::::/ 東芝の4nm技術パクる予定ﾆﾀﾞﾖ
|:::|/⊂ヽノ|:::| ／」
／￣￣￣￣旦￣／| 日本はただ指をくわえて見ているだけ
日本の最先端ロジックプロセスは
45nmあたりだっけ？ >>8
10nmと4nmじゃ
高尾山に登る連中がエベレストに登頂するレベルの違いな
>>9
×サムスンが世界の先端を行ってる
○サムスンが世界の先端技術をパクってる
日本語は正しくつかおうな 4nmの銅線て量子論的な世界に入っちゃって電気流れないんちゃうん >>13
パクったらこっちのもんだろ？
結果的に世界の先端を行ってることは間違いない。 >>17
このレベルの微細化EUV技術持ってるのオランダのASMLだけだよ、日本勢はまったく付いていけてない
そのASMLも実用量産レベルとなると厳しい状況だからどうなるかわからんけど、もう永遠に追いつけないくらい差をつけられてると考えていい >>22
ニコンとか完全に終わってる感あるよな
キャノンは逆転かけて新しいの作ってると思ったけど もう日本勢はサムスンの背中も見えないな。
ネトウヨがホルホルしている間に日本の没落が酷い。 限界って5nmでなかったけ？
4nmも可能なのか？ 結局リーク電流制御に失敗する、に１００ガバチョ
量子論の世界だな、４nmは 一応は1nmまで実験段階ではいけてるらしい
http://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1610/17/mm161017_cnt2.jpg
既存の方法だと5nm程度が限界だとか
それをチョンは量産化するんだって
凄いよね
さすが宇宙の起源である朝鮮人しか出来ない技術ww >>30
まぁ今の段階でもちょっと鯖読んでるしヨユーヨユー
1nmはカーボンナノチューブになんのね >>9
インプレスとかみたら色々出てくるけど、
インテルの10nmとサムソンの10nmの集積度が同じだとか言わないよな？
ゲートピッチとか色々違うのは理解してるよな？ しかし今だに日本が半導体技術世界一で南朝鮮が
全部パクってるってのが主流なのか。楽しそうだ。 >>37
まあカメラセンサーとか部分的には世界一な分野もあるけどね
そもそも彼らネトウヨは日本の半導体技術がパクりや産業スパイから始まったこともしらんのだろうｗ それだけ微細化されると、もうトランジスタあたりの電荷数が
量子論的な話で無理とか言ってなかったっけ インテルもAMDも5nmが限界って言ってるのに
どうやて4nmで作れるのか興味ある アップルもクアルコムもサムスンは排除してTSMCに委託
サムチョンはもう終了 >>30
プロセスルールの数字は配線幅じゃなくてトランジスタのゲート長だから
特に最近はトランジスタ構造の3D化をはじめ多彩な技術が盛り込まれているからプロセスルールの数字だけじゃ評価できないところもある そんなことがチョンに出来るなら
とっくにノーベル賞の１つもとってるだろ
いつものことだが成功してから言え
月でも太陽でも行ってみろ
それからイバれ >>25
キヤノンはナノインプリント方式で巻き返しを始めてる
液浸より微細化と歩留まりで有利
東芝の3D-NAND型フラッシュメモリの新工場で使う製造装置もナノインプリント方式 >>37
ネトウヨがいる限り日本の復活の目はゼロだよほんと 簡単な汎用DRAMとNANDしか作れないサムチョンがなんだって？ 【悲報】安倍総理、無事売国に成功 東芝半導体、政府主導で日本・米国・韓国連合に売却へ なぜか韓国が滑りこみで連合に加入 [無断転載禁止]©2ch.net [455830913]
http://hitomi.2ch.net/test/read.cgi/poverty/1497960272/ そういや以前やってた8nm？忘れたが従来の半分だっけか？のちっさいメモリはどうなったん？
サムソン作れたん？確か6年位前だっけか？に2014年をめどに作るとか言ってなかったっけ？ ネトウヨがいるからダメ ×
ダメだからネトウヨがいる ○ そんな芽のない日本を見限って在日の皆さんは
夢と希望あふれる祖国に帰るんですね
いやあ帰れる国があるなんてうらやましい
祖国で夢を叶えてほしいなぁ
でいつ帰るんです？ >>64
それはマジであると思う
日本の調子が今ほど悪くなかった時は自虐してられる余裕があった 誰も焼けないのに計画を妄想かよ
製造装置にカネを一切出してねぇのになｗｗｗ チョウセンヒトモドキに装置売ってる売国奴は滅びろｗｗｗｗ >>67
今更だろ
チハが紙って貶すと逆ギレする自虐マンとかいるし
おまえが先に貶してたんだろw 汎用DRAMやNANDならサムチョンでも作れるが、低技術力で演算回路は無理でしょ
SoCであいぽん６のときみたいにTSMCアタリ サムチョンハズレはまだ記憶に新しいし
今年から事業部独立させてファウンダリ事業に力を入れてくニダ！ → ファウンダリ事業の売上4割超を見越してたクアルコムからサムスンにはもう依頼しないといきなり切り捨てられてるわけだが 誰か どうやって4nmで作るのか教えて
露光できないだろ 原子の大きさが0.1nmであることを考えれば
0.5nmぐらいまでは進化するのかな 3年でソニーを追い抜く
って宣言した時も２ｃｈはこんな感じだったな
実際に3年でソニーは悲惨なことになったけど。 DRAMと3D NANDは今加工が一番難しいんじゃないのww
2016年8月、サムスンが10nmを生産開始したとホルホル発表
そして現実がこれ・・・・
サムスンは去年8月に10nmラインを稼動させたと発表。しかし、現実は
未だに稼動できないカス状態。サムスンは自社品の10nmすら危ない状態。
サムスンは10nm量産ラインを去年の８月に生産開始したと自慢げに
ホルホル発表したが、未だに良品が取れない酷い状態が続く。
ウェハー1000枚から百個程度の良品チップが取れるかどうかメチャクチャ
な酷いありさま。ロット1000枚が全て全滅が去年から続いている。
こんなんだから、米クアルコム自体の存続を左右する世界販売用の
「スナップドラゴン830」は品質が安定したＴＳＭＣで生産させる理由。
ＴＳＭＣは予備で12nmラインも動いている。
それから、世界で10nmラインの稼動実績のある技術者はＴＳＭＣのみ。
10nmラインを動かせるエンジニアは重要なんだよ。
そうそう、サムスンの10nm量産ラインの技術者が中国XMCに100人
単位でどんどん引き抜かれているからボロボロ原因なんだけどね。
10nm量産ラインが上手くいかないから幹部が現場をガンガン怒鳴りつける！
怒ったベテラン技術者は中国から高給で誘われているから、どんどん喜んで
辞めて行くお笑い状態。
自動車の生産ラインと同じで、職人を大量に引き抜かれて、そこに素人
バイトを配置しても作れないのと同じ。まして半導体はもっと難しい。
そしてサムスンで真ともに動いているラインは14nm量産ラインだけ。
７nmは10nmラインの改良なので、10nmラインの実績がないとダメだからこうなる
【ＴＳＭＣ】ＴＳＭＣが次世代半導体７nm生産で１２製品受託生産、サムスンに先行 2017/05/26
http://egg.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1495802695/
【IT・通信】サムスンがクアルコムから７nm生産で受注失敗 2017/06/15
http://lavender.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1497495659/
ああ〜、とうとう中国にも抜かれる・・・10nmも未だに作れないサムスンが嘆いている。
もう10nmは完全にダメになった。
そうだ！4nmラインなら簡単に作れるニダｗ
根拠の無い妄想にすがりつくお笑いサムスンｗ
※ 5nmラインは装置の新規開発から始まる別物ライン。
※20nmラインから全くの新規装置
・ＴＳＭＣ 20nmラインで実績を積んで → 改良15nmライン
・サムスンは20nmラインの経験なく → いきなり14nmライン
※10nmラインから全くの新規装置
・ＴＳＭＣ 10nmライン生産中 → 改良7nmライン
・サムスンは10nmラインが未だにダメ → 改良7nmラインなど到底不可能ｗ
※5nmラインから全くの新規装置となる
・ＴＳＭＣ 5nmライン
・サムスンは4nmライン 出来もしない妄想にすがりつくお笑いサムスンｗ 10nmラインは大失敗したが、4nmラインなら大丈夫ニダ ホルホル >>6 >>17 >>22
半導体製造装置ランキング
１．Applied Materials(ほぼ全般)----米
２．ASML(露光装置)----蘭
３．Lam Research(エッチング)----米
４．Tokyo Electron(コータ／デベロッパー、エッチングなど)---日
５．KLA Tencor(測定器全般)-----米
６．SCREEN(洗浄など)----日
７．ADVANTEST(テスト)----日
８．Tradyne(テスト)----米
９．日立High-Technoloies(電子顕微鏡、エッチングなど)---日
10．ASM(CVDなど)----どこ？
日本もがんばってるけど、主流は蘭と米国製。
日本製でなくなって困るのは日立のSEMとTELのｺｰﾀﾃﾞﾍﾞﾛｯﾊﾟぐらいじゃないのかなあ。
日本製がかなりの割合を占めているのは事実だけど、主流はアメリカ製。
製造装置の心臓でもある露光装置は蘭製だわ。
2世代以上前なら日本のシェアは相当だけど、ArF液浸から負けが決定的になった。
あと、後工程とかPRなどの材料系なら日本製ががんばってるのかも
知らんけど、知らんわｗｗｗ >>85
インテルとAMDが公表した論文見てないのかよって思ってしまう ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
