【技術】理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発 [すらいむ★]

**すらいむ ★** · 2022/03/22(火) 20:32:42.07

理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発
著者：波留久泉

　東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路を持つ「両方向読み出し方式」を提案し、これにより磁化反転電流としては従来経路より10倍程度のディスターブ低減が可能になったことを発表した。

　同成果は、理科大工学部電気工学科の河原尊之教授らの研究チームによるもの。
　詳細は、IEEEが刊行する磁性とその材料やデバイスなどに関連する物理学と工学全般を扱う学術誌「IEEE Transactions on Magnetics」にオンライン掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/03/22 06:15
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220322-2297143/

**名無しのひみつ** · 2022/03/22(火) 20:35:24.04

これは有難いニダ

**名無しのひみつ** · 2022/03/22(火) 20:37:54.57

まいどありいアル

**名無しのひみつ** · 2022/03/22(火) 20:41:33.11

どうせアメリカとか韓国の手に渡るんだろ？

**名無しのひみつ** · 2022/03/22(火) 22:39:02.44

MRAMも長く待たせるなあ。
生きてるうちに一般化するんかなあ。

**名無しのひみつ** · 2022/03/23(水) 00:33:16.99

うむ、分からん

**名無しのひみつ** · 2022/03/23(水) 03:36:37.57

昔のコアメモリや磁気薄膜記憶装置を集積回路にしたようなもの？