【半導体技術】東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功 [すらいむ★]
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東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功
著者:波留久泉
東京大学(東大)、東北大学、科学技術振興機構(JST)の3者は7月7日、InAs半導体結晶中にFe原子をほぼ1原子層の平面内に配列した「FeAs-InAs単結晶超格子構造」の作製に成功し、さまざまな新しい物性を観測したと発表した。
(以下略、続きはソースでご確認下さい)
マイナビニュース 2021/07/09 06:45
https://news.mynavi.jp/article/20210709-1918306/ インジウムは十分レアメタルの範疇だろ
ヒ素じゃなくて窒素でできるようになれば、用途は広い そうやっていろいろと素材を開発してはいても、
産業が衰退敗退惨敗廃業している現実があると、日本国内の産業の支援に
ならないとすれば、また産業界から支援を受けて研究が振興発展することも
望めない。 >>10
会員限定の記事だから最後まで読んでないけどMRAMのことだよね
MRAMは10年前からポストDRAMと言われていてすでに製造装置も完成している
微細化が困難でコスト的にもDRAMやNANDに敵わないから普及しないんだよ ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています