京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋
著者:小林行雄
京都大学(京大)は、大阪大学ならびにTDKとの共同研究によりシリコンスピントランジスタに、新たなスピン物性を発見したことを発表した。
同成果は、京大 大学院工学研究科電子工学専攻の李垂範 博士課程学生・日本学術振興会特別研究員(研究当時、現:京都大学特定研究員)、同 白石誠司 教授、大阪大学の鈴木義茂 教授、TDKの小池勇人氏らによるもの。
詳細は2021年6月4日付の英国科学雑誌「Nature Materials」に掲載された。
(以下略、続きはソースでご確認下さい)
マイナビニュース 2021/06/08 07:30
https://news.mynavi.jp/article/20210608-1900798/
【半導体デバイス】京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋 [すらいむ★]
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1すらいむ ★
2021/06/08(火) 11:21:22.37ID:CAP_USER2021/06/08(火) 11:24:29.61ID:NpT5hgtj
お前らが好きなのはシリコーン定期
3名無しのひみつ
2021/06/08(火) 11:31:13.81ID:jNm1fqpD 支那やエベンキに技術が盗まれるだけ。
2021/06/08(火) 11:35:16.54ID:3oTpglc1
肝心の内容を書けよ
>>1
>従来の仕組みでは、外部から磁化をかける形で磁性電極の磁化の向き(磁石の向き)を操作する必要があり、集積化が難しいという課題があった。
そこで研究チームでは、外部磁場を使わないという方向性を模索したという。代替手法としてはゲート電圧をかけることから、ゲート電場の活用が考えられたが、
従来、シリコンは結晶性が良く、かつ軽い元素であるため、スピン軌道相互作用(SOI:スピンを電場で操作できる磁場のような力)が弱いことから、この手法は使えないと考えられていたという。
今回の研究は、本当にそうなのか、という問いの解明に挑むもので、
スピントランジスタにゲート電圧をかけて情報を操作するための酸化シリコン層(絶縁層)がついていることに着目。
構造としては、2014年に研究チームが発表したスピンMOSトランジスタの構造のまま、対称性が破れていると考え、
厚さ100nmのシリコン層とその直下にある酸化シリコン層の界面に存在すると期待される内部電場であるラシュバ場を活用することで、
電場の向きとスピンの運動方向の両方に垂直な向きに有効磁場が生じることを確認。
この有効磁場を使ってスピンを操作することに成功したという
>>1
>従来の仕組みでは、外部から磁化をかける形で磁性電極の磁化の向き(磁石の向き)を操作する必要があり、集積化が難しいという課題があった。
そこで研究チームでは、外部磁場を使わないという方向性を模索したという。代替手法としてはゲート電圧をかけることから、ゲート電場の活用が考えられたが、
従来、シリコンは結晶性が良く、かつ軽い元素であるため、スピン軌道相互作用(SOI:スピンを電場で操作できる磁場のような力)が弱いことから、この手法は使えないと考えられていたという。
今回の研究は、本当にそうなのか、という問いの解明に挑むもので、
スピントランジスタにゲート電圧をかけて情報を操作するための酸化シリコン層(絶縁層)がついていることに着目。
構造としては、2014年に研究チームが発表したスピンMOSトランジスタの構造のまま、対称性が破れていると考え、
厚さ100nmのシリコン層とその直下にある酸化シリコン層の界面に存在すると期待される内部電場であるラシュバ場を活用することで、
電場の向きとスピンの運動方向の両方に垂直な向きに有効磁場が生じることを確認。
この有効磁場を使ってスピンを操作することに成功したという
5名無しのひみつ
2021/06/08(火) 11:38:13.35ID:rx0/fsq6 は?
6名無しのひみつ
2021/06/08(火) 12:14:35.50ID:oLPbj832 日本が世界最先端最高文明国家だからね(笑)
2021/06/08(火) 12:26:24.75ID:MD9g8pmm
mosfetに直接100Vかけられるメモリなのか
8名無しのひみつ
2021/06/08(火) 17:10:12.29ID:DfgIAYNH もすもす、すっぴんでしゅか
2021/06/08(火) 17:32:36.55ID:kYNsk8Q/
シリコンだのピストンだのスケベかよ
10名無しのひみつ
2021/06/08(火) 19:28:09.86ID:SJB1zGyz 本日のコンバトラーVスレ
11名無しのひみつ
2021/06/09(水) 09:20:44.47ID:lrgNMgAq12名無しのひみつ
2021/06/09(水) 09:47:00.63ID:/Q85v6ad >>1
(゚∀。) ナルヘソ
(゚∀。) ナルヘソ
13名無しのひみつ
2021/06/09(水) 15:46:30.69ID:NNB9OP8p 読んでみたら酸化膜200nmだったから、酸化膜薄くしたらちっちゃい電圧でいけるかも。
14名無しのひみつ
2021/06/09(水) 18:43:25.35ID:4bOYcX3j スピン流
これこそがウリナラ法力の
これこそがウリナラ法力の
15名無しのひみつ
2021/06/13(日) 12:15:00.95ID:dkRiG/FU なんだかよくわからない。もっと詳しく説明してくれたまえ。
16名無しのひみつ
2021/06/14(月) 10:12:52.95ID:ZJlCb/Gm はたして室温で動作するのかね?
17名無しのひみつ
2021/06/16(水) 10:40:07.51ID:vuzpSZNx 半導体再興、「後工程」糸口に イビデンなどTSMC誘う
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC1030Q0Q1A610C2000000/
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC1030Q0Q1A610C2000000/
18名無しのひみつ
2021/06/23(水) 11:22:26.11ID:a/kAQzlX 日本のLSIの後工程はAmkorが抑えた 残るはソニーくらい
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