【半導体デバイス】京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋 [すらいむ★]
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京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋
著者：小林行雄
京都大学(京大)は、大阪大学ならびにTDKとの共同研究によりシリコンスピントランジスタに、新たなスピン物性を発見したことを発表した。
同成果は、京大 大学院工学研究科電子工学専攻の李垂範 博士課程学生・日本学術振興会特別研究員(研究当時、現:京都大学特定研究員)、同 白石誠司 教授、大阪大学の鈴木義茂 教授、TDKの小池勇人氏らによるもの。
詳細は2021年6月4日付の英国科学雑誌「Nature Materials」に掲載された。
（以下略、続きはソースでご確認下さい）
マイナビニュース 2021/06/08 07:30
https://news.mynavi.jp/article/20210608-1900798/ 肝心の内容を書けよ
>>1
>従来の仕組みでは、外部から磁化をかける形で磁性電極の磁化の向き(磁石の向き)を操作する必要があり、集積化が難しいという課題があった。
そこで研究チームでは、外部磁場を使わないという方向性を模索したという。代替手法としてはゲート電圧をかけることから、ゲート電場の活用が考えられたが、
従来、シリコンは結晶性が良く、かつ軽い元素であるため、スピン軌道相互作用(SOI:スピンを電場で操作できる磁場のような力)が弱いことから、この手法は使えないと考えられていたという。
今回の研究は、本当にそうなのか、という問いの解明に挑むもので、
スピントランジスタにゲート電圧をかけて情報を操作するための酸化シリコン層(絶縁層)がついていることに着目。
構造としては、2014年に研究チームが発表したスピンMOSトランジスタの構造のまま、対称性が破れていると考え、
厚さ100nmのシリコン層とその直下にある酸化シリコン層の界面に存在すると期待される内部電場であるラシュバ場を活用することで、
電場の向きとスピンの運動方向の両方に垂直な向きに有効磁場が生じることを確認。
この有効磁場を使ってスピンを操作することに成功したという >>1
スピンでバンドを変えるのか
ラシュバ効果でのスピン量保持に高電圧が必要なのがネックだな
1.3V程度まで落ちれば実用化 読んでみたら酸化膜200nmだったから、酸化膜薄くしたらちっちゃい電圧でいけるかも。 なんだかよくわからない。もっと詳しく説明してくれたまえ。 日本のLSIの後工程はAmkorが抑えた 残るはソニーくらい ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
