【AMD】Ryzen メモリースレ 28枚目【AM4】
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前スレ
【AMD】Ryzen メモリースレ 27枚目【AM4】
https://egg.5ch.net/test/read.cgi/jisaku/1593331027/
VIPQ2_EXTDAT: checked:vvvvv:1000:512:: EXT was configured >>303
うちのCorsairおみくじ2666の16GBx2メモリでやったときでこんな感じかなあ。まあ2933以上は1.4Vかけたから今はデフォルトに戻して
2666運用だけど。
https://i.imgur.com/F0tsevz.png
https://i.imgur.com/YDU6VWF.png >>305
2666だと普通にタイム200超えちゃうわ
なんだかなぁ
暇みて他のメモリーやグラボ載せてiGPU無効にしたりしてみますわ IFの特性はCPU依存だがFCLK上げるならメモリのテストとは別にSOCのテストもやらないと何かの拍子に落ちたりするよ
自分はSOCのテストはOCCTでいろいろテストしたりしてるがkarhuの場合はCacheとFPU有効の方がSOCへの負荷は高いかな
計算機のベンチはタイミング詰めたら大きく変わるだろう
4650G(iGPU利用 TSME無効)+MicronBでタイミング適当に詰めて4333CL18(1T GDMoff)で102秒台は出てる ちなみにtRRDS/tRRDL/tFAWは4/6/16でやってます >>307
自分も負荷テストOCCTとか色々やってるがタイムだけは200秒近くになるんよね
4000CL18まで落とすと200秒超えてくるし
OSもクリンインスコして一か月も経ってないしSiS SandraとかPerformanceTestも良いスコア出るし絵描きもスリープ復帰なども問題ない
別のメモリーで今色んな設定で検証中だけどやはりタイムは悪いわ
もう少し検証してだめなら諦めます OCCTやるのはGPUに負荷のかかるテスト(Powerとか)がメインだけどね
B550I AORUS PRO AXでSOCのLLC上げてもGPU負荷だとSOC電圧の降下が結構あったので >>309
デフォだとtRFCも350nsだしtFAWも緩いから別に遅くても不思議はないがSOCもDRAMも電圧高いのが心配になる >>310
なるほど
あとでPowerも回してみます
>>311
電圧はプロファイル読ませるとめちゃ高い電圧になり4600の時の電圧はまだ探ってないのでプロファイルのまま
4400の時はVSoC1.2V、VDDP1100mv、Ram1.45VでRamTestは通してます。
AMDに移行してまだ1年未満なんでRyzenのメモリー弄りはまだまだ慣れないですね（汗
もう少し勉強しなきゃ if1900同期だがSOC1.05 VDDP0.8 VDDG0.85でテスト通るぞ
電圧盛りすぎておかしくなってんじゃね？
1.10 0.85 0.95くらいにしてみたら どうも色々弄った感じHynix DJRだとタイムが180～210秒になる感じHynixのAFRやSamsung、マイクロンのメモリーだとタイムだけは設定により110～140秒あたりになる
クロック、レイテンシもほぼ似たような感じでやったんだがDJRだけあきらかにタイムダメだった
10種類以上のメモリー付け替えたりして疲れたからもうやめたｗ昼飯にする
付き合ってくれた方ありがとうございました。 >>315
挿してるの入れると30枚ちょいはありますｗ 純粋な興味心なんだけどメモリーだけで何万円とか溶かしてるの？ >>317-318
麻痺してるから平気で10万超えのＣＰＵやマザー買っちゃうｗ
少し前も思い付きでマザーの耐性比較したくなってX570 AORUS XTREMEが2台とかあったし
何気にAMDデビューして1年未満で3950X、3800X、3500X、3300X、3100、3400G、3200G、3000G、4750Gと買ってますわ
正直メモリーはお菓子買う感覚で買ってるかな（ >>320
手段と目的が逆なんですねｗ
メモリーもうまい棒感覚で食べれるって凄い 6月に買った迷彩の灰Cダイ
自分の調整が詰めれてないのもあるけど3733でOCCT途中でブルスク
XMPポン付けでは3600でド安定してるから素直に3600で動かしておけってことなんだろうか 今の迷彩ってサムはダメらしいけど灰Cでもだめなん？
3600C16で動いてるなら間違いなく当たりの部類だと思うんだけど >>320
しゅごいｗ
そんだけサンプルと結果があるならダメ元で、Hynix DJR でだけタイム出ねぇ、
ってメモリチップ、モジュールの情報添えてマザボメーカーに改善要望出すなぁ
あと >>300 で CCX と CCD 間違ってるし、眠い時にレスすると碌なことにならない…… orz 3600ポン付けだから迷彩はCL19でないの？俺は去年の今頃迷彩買ったが3800までは動く計算機の設定でCL16はIF1900で動く
その上は試してないわ4000全部Auto設定なら起動するが超絶ガバガバ設定だからベンチがすげー遅い MAX(4400以上)のスペックについて
初期サンプル N
後期サンプル B
製品版 おそらくB タイミングと電圧変更
ダイが変更になったから互換性上げるために緩めたんだと予想
MAX高いけど一応公式でも買えるんだね
消費税は受け取り時に支払いのよう たいていはF4-3600C19D-16GSXWBのこと >>334
それのことか
ずいぶん安いんで買ってみた この間アークで買った CrucialのCT2K16G4DFS832A(片面16GB)。
https://imgur.com/TUzEdNL
MicronのB-dieっぽい。
Ryzen 4750G+ASUS Prime B520M-Kのポン付け運用でノートラブル
>>271
E-dieマレーシア産で裏山。OCしないけど。 ごめんマザー間違えた。
Ryzen 4750G+ASUS Prime B550M-Kのポン付け運用でノートラブル 。
あと、このモジュールの抵抗やコンデンサは裏面に乗せてるのね。
表面はメモリチップだけ載っててでうつくしい。 安いグリスはやっぱダメだな
OCCTで負荷かけたらサーマルで切られた
全コア固定だけどブーストはエラー有りそう
メモリの熱よりCPU側の熱変化で巻き込む >>344
グリスなんて塗りやすい以外は気にしないな
塗った直後なんてオロナインでも大して変わらん 個人的にグリスの差で5度くらい差が出る気がしないでもない CPUクーラーのファン回転数を固定して試すと意外と差が出るよ 気にしない人はそれでいいと思うよ
私は常に新型を試すよ
１度違えばすごいことだと思ってます グリス自体の熱伝導率は金属に比べて悪いんだから、いかに薄く塗るかの技術によっても差が出そうだな
センターうんこ盛り盛りしてると1～2℃は高くなってそう 圧着する関係で一定以上ははみ出すから少なすぎるよりは影響はでない Micron B-dieって17nmなんだね。
同じく17nmのJ-dieやB-dieより20nmのE-dieの方がクロックの伸びがいいのは何でなんだろう？ >>356
ヒートシンク無いけど悪くないな
価格次第か >>357
千枚はおみくじじゃね？
ECC付きのDDR4-3200もSKHynixとMicronが混在してたし 千枚は高品質だけど高いと言われるがよく分かんないや
昔のノーブランドバルク品とかならともかく、今の有名どころが出してるメモリって永久保証だし、
そもそもよっぽどむちゃなOCしたとかでもなきゃ滅多に壊れないだろ センマイって逆にOCできない定格品質な印象なんだが キングストンのSamsung B die搭載品メルカリに放流したから、誰か買ってちょーだい。 手持ちのバリスポLT3200(16GB×2の方)を弄り倒したので、そろそろZEN3に向けて新しいメモリ欲しいな
MicronのB-die試してみようかな？
このスレ的にBallistix BL2K16G36C16U4Bってどう？ Micron B-dieって片面16GBメモリだよね？
よく分からんけどこんなの見つけた
Micron 16Gbit B-Die DDR4
https://www.hardwareluxx.de/community/threads/micron-16gbit-b-die-ddr4.1276765/
片面16GBと両面8GBどっちのが有利なんだ？ 定格なら２ランクが当然いいさね
OCなら2ランクのパフォーマンスよりクロック上げたほうが早くなるから１ランク >>370
intelもAMDも同じクロックとレイテンシなら合計4ランクが1番最高の性能出すようになってるから難しいぞ f4-3600c16d-32gvkcなんだけどXMP読み込ませて3733設定までは問題なく動いて
3800だと電圧盛ってもBIOSすら立ち上がらなかったのがBIOSアプデしたら3800でも普通に動くようになった
M/B GIGA X570PRO BIOS ｆ30a 手動設定してる人少ないと思うけど
VTT DDR voltage
Vref A B
これメモリ電圧の半分が適正らしいけど
乖離してても問題ないよね？
そもそもこれ何？ >373
同クロック、同レイテンシで動かすならDRｘ4スロットの8ランクが最高の性能じゃないん？ >>379
そうだよ
枚数やランクが増えると回りにくくなるだけ >>365
大体見れば分かる。
同じ16GbitチップでもSamsungはメモリチップが大きくて配線距離伸びてるから高クロックが厳しい。
tRFCとSCL詰められるMicronが一番メモリベンチ早そう。 >>377
オーディオアンプのDCオフセットと同じ、ICの個体差でオフセットが生じるから調整する。
普通はvDIMMの1/2で良いけど選別落ちのモジュールをOCする場合は選別理由の1つにDCオフセットが大きめで落とされたってのがあるからその可能性もある。
Micron E-dieのDDR4-3000辺りのやつをDDR4-5000とかで回す時は特に重要。
OC耐性は高いがオフセットが大きめなので選別で落とされた石は、オフセットを補正してやるとぶん回る可能性がある。
https://i.imgur.com/tKcBc2x.jpg >>382
そんなアナログチックな動作してないだろ？クロックの周波数から波形の状態の方が影響が大きいだろ？素子個体のバラツキなんかより配線やパターンの影響が大きいよ。 >>383 その波形の状態が高クロックほど厳しくアイダイアグラムで見たアイが小さくなるから、
そこにVrefを合わせて0,1の認識が正しくできるようにするんじゃないの。
1DIMM/chは割と調整楽だけど、2DIMM/chだと同じchのDIMM間のばらつきによるのか厳しい負荷
でVref振ってみたときに通る電圧やその範囲が違う。(うちはIntelだけど)
>>384 おまけにシングルエンド >>382
こんなに個体差あるのね…勉強になるわ
5000 1.6v VTT0.8vが標準で半分な例で
5100でも最上位品じゃないのに回る
うーーん奥が深い。普通のでもあるのかな？
>>381
16Gbitチップも勉強なる
チップのサイズが大きいと配線長くて不利
高クロックは回らない。タイミングもルーズ
面積広いから冷やせそうだけど
まあヒートシンクでだと変わらないか
16Gbitメモリ欲しくなる メモリはコンデンサの集まりで電荷を充放電してしきい値から0/1を作っているからアナログな動作、
主にIC/抵抗/コンデンサがメモリ基板に実装されているわけだけど、部品の個体差はあるからオフセットが生じる。
アンプとか作ったりする時に大量に同じ部品買って手作業選別とかやってオフセットの少ない組み合わせで作ったりする人が居るのもこの為。
メモリモジュールもチップを1枚づつ選別してオフセットの少ない信号品質の高いチップは高クロック向けとして選別、
オフセットが大きめだったり漏れ電流が大きめで高クロック動作に向かないチップは低クロック向けとして選別落ちになる。
あくまでこれはメモリチップ単位の話で、この後更に基板と面実装部品の個体差で結果が違って来るから。
たまたま特性悪い抵抗やコンデンサが実装されてしまったモジュールは元のメモリチップが良いものであっても回らないモジュールとして落とされてしまう。
VRMもコイルが外れだと鳴いたりするしな、こういう部品単位のバラツキはどうしようもない。
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/1604/14/news026_4.html >>385
オフセット電圧って言ってるのはディファレンシャルのセンター電圧の事？？ メチャクチャ言ってるな
センスアンプにそんなオフセットはない
アクセス確定からセンスアンプがきちっと出力を出すまでの時間を
計って選別してるだけ Kあたりのパラメタで変わるんだろうな >>389
この人の言ってる事さもまともそうだけどコンデンサや抵抗でオフセット変わるとかメモリバスになんでコンデンサとかわけわからんしシングルエンドとディファレンシャルも混同してる DIMMについてるチップ部品はほぼ全部電源周りのパスコンかね。
Vref(と信号)が入力される所はDRAM中だろうけど差動アンプ(コンパレータ)みたいな回路になってるのかな？ >>391
Vrefはここに詳しく書いてある、Vdd上げたらVrefも弄らないとだめ >>392 普通はVrefはAutoでVDDの1/2にしてくれるようだけど、タイトな条件だとマニュアルで
最適値探ると改善することあるね。ch毎なのですごく面倒だけど。
VTTもマニュアルで弄ると状況少し変わることあった。 マザボのVerfは0.xx倍率指定なのに
RYZEN計算機は割った値を教えてくれる
1.36v x 0.500(マザボVerf)＝0.68v(計算機)
0.748(計算機)＝1.36v x 0.550(マザボVerf)
何も知らないから右往左往した メモリの電圧周りは結構シビアだからBIOS表記設定の電圧信じずにテスタで実測す方がよいかも
VRMの吐き出す電圧もそれほど性格ではないし、ましてやリップルや電源ノイズの影響も大だから
VRMの性能もメモリに影響してる
チップの性能もそうだけどマザボの性能も重要 >>396 その辺はM/Bによって違うのかも。
うちはIntel(7980XE, W-3175X)でASUS M/Bだけど、Vref(DRAM VrefっていうのがDQのVrefかな)は
10mV単位の値っぽくて76.25とか設定するタイプ。 >>393
これ読んでて気がついた
DDR4からVPP(2.5V)が追加されたんだ
1usmus氏の説明だと
DRAM行のアクセスの信頼性を決定する電圧
VDDQ メモリ電圧
VTT REF(Verf) メモリの分圧器の電圧
VTT メモリ電圧を補完する電源の電圧
VPP 行アクセスの電圧
DDR4のJEDECリファ電圧だと
VDDQ 1.2v
Verf 0.6v
VTT 0.6v
VPP 2.5v
となってるいる(定められてる？)が
メモリは複合要因で個体差がある
あとマザボの仕様と設定で違いが出る VTTをプルアップしている抵抗に誤差があれば単純に1/2の電圧をかけてもズレる。
正解はvDIMMの1/2の電圧をかける、ではなく色々込みで補正後の電圧が1/2で追従するようにカウンターかけて調整するということ。
負荷がかかった時のVdropとか色々あるけどモジュールの個体差も誤差が生じる原因の1つ、あくまで原因の1つ。
1/2より下げた方が回りやすいのか、上げた方が回りやすいのか微調整してみる価値はある。
そもそも、メモリ電圧勝手に盛るマザーだったらVTT1/2に設定した時点で余計にズレてる。
＞VTT：ターミネーション用電源
＞VTTはDDRメモリ特有の電源です。最も専用電源の必要性がある電源です。
＞VTT REF同様、電圧はVDDQの1/2でVDDQへの追従が必要であることに加え、
＞出力状態のHi/Loに従って電流を吸い込むシンク、電流を吐き出すソース両方の機能を持っている必要があります。
https://www.macnica.co.jp/business/semiconductor/articles/texas_instruments/119473/
VTT_DDRについてはこの動画を見てみると良いと思う、字幕ONだとアレな翻訳になるけど。
この人マザーにハンダ付けしてVTT調整用の回路追加してる上に、
電圧上げられないからって理由で2Vのコンデンサを2.5vのものに交換してる
＞5GHz RAM OC on basically all the 8GB Crucial Ballistix sticks I have from 3000 C15 to 4000 C18
https://www.youtube.com/watch?v=XeDRz3mRIfs まあ昔はOCやるのに原発乗っ取りとかやってたからなあ。それから比べりゃ今はソフトで全部やれるのは相当ヌルイ。 >>356
マイクロンの16Gbチップ見たことある？
こんな細くない
どう見ても2Rank品です 今更な話かもだけどBGSって有無で帯域かなり違うのね
検証はしてないけど、無効だと帯域は下がるけどゲームのパフォーマンスは上がるんよね？ ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
