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2017/7/6(2252号)主なヘッドライン

　中国政府が先端半導体の国産化計画を発表してから、ちょうど3年が経過した。3D-NANDやDRAMを製造する巨大メモリー工場の計画がついに具体化し、製造装置メーカーに工場の立ち上げスケジュールを提示した。これらの案件を含め、中国では300mm工場の投資計画が20案件も進行している。

　中国政府は2014年6月、半導体産業の中長期発展計画「国家集成電路産業発展推進綱要」を発表し、15年に半導体産業専門の国家IC産業ファンドを設立した。半導体業界に巨額資金を投入するスキームが作られ、中国各地で半導体工場の建設計画が勃発した。先端製造技術に乏しい中国企業は当初、米マイクロンや東芝など海外大手メモリー企業の買収を画策したが、日米政府の反対で交渉は頓挫。巨大メモリー工場プロジェクトは将来の生産能力目標こそ示したが、計画を具体化できないでいた。
　17年5月に入り、これらの投資計画がついに進展した。3D-NAND製造のYMTC（長江ストレージ、存儲科技、湖北省武漢市）やDRAM製造のチャンシンIC（長シン集成電路、安徽省合肥市）が製造装置メーカーと具体的な選定交渉を始めたのだ。

（以下、本紙2017年7月6日号1面）