【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発 [無断転載禁止]©2ch.net
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周藤瞳美 [2017/05/19]
産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。
同成果は、産総研スピントロニクス研究センター金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓研究チーム長、集積マイクロシステム研究センター
高木秀樹総括研究主幹、ウエハレベル実装研究チーム 倉島優一主任研究員、ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システムグループ 菊地克弥研究グループ長、
渡辺直也主任研究員らの研究グループによるもので、5月15日付けの国際科学誌「Applied Physics Express」に掲載された。
MRAMは、垂直磁化TMR素子をベースとする記録ビットと、ビット選択に用いる半導体トランジスタ(CMOS)、多結晶銅などの金属配線からなり、
通常、垂直磁化TMR素子薄膜(TMR薄膜)は、逐次積層といってCMOS形成後に金属配線上に直接形成される。MRAMの大容量化には、
原子レベルの不均一性や凹凸によるTMR薄膜のバラツキ抑制、材料の選択が重要となるが、多結晶銅配線上へのTMR薄膜形成ではバラツキ抑制や材料の選択肢には限界があった。
今回、同研究グループは、CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別体形成した後に圧着して接合する、3次元積層プロセス技術によるTMR素子の作製に成功した。
なお、今回の研究ではCMOS形成ウェハを銅電極形成ウェハで代用している。
同3次元積層プロセスにより、ウェハ上に銅電極層、タンタル接合層、多結晶TMR薄膜層の順に形成された3次元積層試料に微細加工を行い、
サイズが28nm〜65nmのMRAMデバイスを作製し、動作を確認したところ、3次元積層プロセスを行わないTMR薄膜を用いたMRAMデバイスと比較して、3次元積層プロセスを経た後のMRAMデバイスは、読出性能・書込性能はまったく劣化せず、STT-MRAMで重要な性能指標となる「データ書き込み効率」は2に達し、世界トップクラスの性能を維持していたという。
今回用いた多結晶TMR薄膜よりも単結晶TMR薄膜の方が機械的強度が強いことから、今回の3次元積層プロセスは単結晶TMR薄膜にもそのまま適用できると考えられ、
同研究グループは現在、単結晶TMR薄膜の開発を進めているとしている。今後2年以内に単結晶TMR薄膜とCMOSウェハの3次元積層プロセスを確立し、
5年以内に3次元積層MRAMの製品開発の着手を目指していきたい考えだ。
http://news.mynavi.jp/news/2017/05/19/278/images/001.jpg
3次元積層プロセス技術の概要 (出所:産総研Webサイト)
※本記事は掲載時点の情報であり、最新のものとは異なる場合があります。予めご了承ください。
http://news.mynavi.jp/news/2017/05/19/278/?rt=top MRAMはCurie点以上に昇温しても記録は保持されるの？ こういうのっていつどこで実用化されて量産されてるの？ ＞CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを
＞別体形成した後に圧着して接合する
なんつー強引なwww
ちゃんとパターン合わせられるんかｗ 日本以外で製造禁止にしてから量産しろ。
そーでなければ支那・朝鮮に盗まれておしまい。 ポストNANDフラッシュの候補のひとつだが
インテルが3D Xpointで先行してるから
本命は相変化型だろうな シナチョンに盗まれるって分かっているから素直に喜べないんだよなぁ。
税金を使う意味を少しは理解しろっての。 いくら研究者や技術者が頑張ってもバカ無能文系が世界最低の交渉力で
オジャンにしてしまうから無駄。 国内に活かす企業ないやん。サムソンかTSMCに丸パクリされて終わりでしょ。 MMO惚明期から続く名作リネージュ１ 今年で、なんと15周年
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マツブシ >>12
あくまで実証レベルだろ。ミクロン単位オーダーで採算度外視で時間をかけて
いいなら可能かもしれんが、製品レベルでは実用にはならんだろうな。 MRAMメモリ搭載の商品なんてだいぶ前からあんのに
未だに主役張れないあたり
コスパ悪いし色々問題ばっかなんだろうなって。 さん孔テープ、磁気テープ式記憶装置、3.5〜8インチフロッピーディスク、MOディスクが無くなったな
全部扱ってきたけど、今はUSBメモリでデータ運搬やっているが小さいのが難だ、いつ無くすかわからん。
USBメモリ用のグッズを作ったら売れると思う。 三次元積層プロセスっていうから、縦方向に集積させるのかと思ったら、単に記憶素子と制御素子を別々に作って後で貼り合わせるだけなのね。>>12も言ってるけど、パターンはどう合わせてるんだろう？ >>25
フラッシュメモリも、当初は旧日立(ルネサス)のワンチップマイコンZTATの
内蔵PROMとして採用されたり、従来の紫外線消去型PROMの置き換えが主流で、
当時の微細加工技術の限界もあって容量も512kバイトとかだった。
それから30年くらい経つ。MRAMは、フラッシュメモリと違ってDRAMと同様に
バイト単位で読み書きできるだけでなく、電源を切っても消えないので、
DRAMに替えてメインメモリに使えばサスペンドが不要になる。 ＪＡＸＡと同じことを行えば、民間企業になって貰うよ >>14
ポストDRAMの候補なんじゃないの？
不揮発性なのでデータの消えないメインメモリが用途なのでは？
DRAMの終焉――消えないメモリがもたらす大変化
http://diamond.jp/articles/-/35682?page=2 , -―-､、
/:::::::::::::∧＿∧
l:::::::::::::<丶｀∀´> 研究は任せるニダ
ヽ､:::::::::フづとﾉ
`〜人 Y
し'（＿） MRAMやReRAMは情報を電荷ではなく、抵抗値を変化させることで保持します。
このため半導体回路を微細化しても、DRAMのように電荷量不足の問題は起きません。
10ナノメートル以下のプロセスの微細化にも対応できるといわれています。
MRAMやReRAMは記憶回路は比較的単純なのでDRAM並に大容量化もできるとされ、
読み書き性能もそこそこ高速なので、
今後、DRAM代替となる次世代メモリとして期待されています。 東芝の元エンジニアが、フラッシュメモリの発明者だと流布しているが、
実はサンディスクの元CEO兼創業者が1970年代に発明した基本特許が先で、
単にフラッシュメモリと言う名前を付けただけというのが真実らしい。
時系列で考えて、発明したと称する時期と、市場に初期の製品が出回って
いた時期で辻褄が合わないので、おかしいと思っていた。 >>33
そこそこってのがもう、半端っぷりが酷いｗｗｗ
取って付けた感のあるブツより
もっと別進化の商品を期待するのはやむおえない。 >>35
舛岡富士雄
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。
結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、
性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、
あえて性能を落としてコストを1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。
その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、反面、研究費も部下も付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。
研究を続けたかった舛岡は、何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、1994年に東芝を退社した
。1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与したが、
サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで首位に立っている。
東芝のNAND型フラッシュメモリも利益の大部分を稼ぎ出す主力事業に育ったが、2017年にも東芝首脳部の判断への批判があり
舛岡も東芝だけではなく日本にも自身の開発した技術を正しく評価してくれる者がいなかったと嘆いている。
その後、東北大学大学院や、退官後に就任した日本ユニサンティスエレクトロニクス等で、フラッシュメモリの容量を10倍に増やす技術や、
三次元構造のトランジスタ（Surrounding Gate Transistor）など、現在も研究者として精力的に研究活動を行っている。 せっかく新技術を開発しても工場に投資する金がないジャップであった… >>17
社長は技術畑出身かそれに強い人じゃなかったか
と言うかお前みたいな盆暗高校を中退ようなのがブンケーだリケーだと
言っても意味は無いと思う。シナチョン無職無免の煽りなら分かるが。 まあ最近大手メーカーがシャープ始め相次いで身売りになったり傾いたり
しているので、企業も開発技術や製品を安易に国外企業に渡すような
事はもう減るのでは。油断や散漫から潰れた企業の失敗に学ぶ知恵は
既存社員社長もある事だろう。退職金持って逃げた爺には少し返上して
貰いたいような人もいる。どうせシナチョンの金女で会社や企業技術を
ホイホイ売ったんでしょ。これからはもうそう言うの無しにしようよ。
どうせ大した事ないんだから、特亜売女とか。中堅社員も簡単に金で引き抜かれ
利用されて途中でゴミ箱ポイで海外でも帰国日本でも職なし後ろ指・・なんて
事も起きないよう賢くなってくれ。 >>31
FLASHとDRAMの中間の位置づけだね
コンピュータのアーキテクチャを
変える可能性がある インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定
http://www.publickey...eoncascade_lake.html サムスンは処理速度がフラッシュメモリの１０００倍以上のＭＲＡＭを製品化し、
その新製品をアメリカで発表するらしい。 ＤＲＡＭは将来不要になるかもしれないね。まあ大分先の話だがね。
しかしＭＲＡＭも言われ初めてもう何年になるんだい。将来はまだ懐疑的かもね。 抵抗変化型素子がDRAMのキャパシタを置き換えるだけだと思うよ
まだ目処が立ってないから時期は10年後くらいかな MRAMは、フラッシュメモリの置き換えで、低容量ながらワンチップマイコン
に搭載されてTIから製品化されている。 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
