>>183

おかしいことはおかしいが、それ、NECの説明文に書いてある。
SRAMセルでも、電圧のハイロウは、
ゲートループのゲート入力側の寄生容量の充電状態、放電状態、で
安定していると言えなくもない。
ここに電荷が注入されるとビット反転が起こり得る。
これはメモリに限らずFFでもだろうな。