【半導体】窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 [すらいむ★]
窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成
次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム（AlN）系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名古屋大学と旭化成のグループが成功した。
「AlN系pn接合」は、従来のSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）と比べて特に電流-電圧特性が2倍と高電圧に対する優れた耐性を示した。
高周波化による通信速度向上が求められる6G以降の通信技術などに応用できる可能性がある。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
マイナビニュース 2024/04/04 21:48
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240404-2921016/ GaNの二倍かよ！
電源アダプターめっちゃ小型化できるやん朗報 アルミニウムならずっと安くできるな
オーストラリアが1位なのは変わりないが >>今回の実験で用いた高品質な窒化アルミニウムの単結晶基板。直径約2インチ（50ミリメートル）で、厚さは0.5ミリメートル（旭化成提供）
ボイス・トォ・スカルのアンテナの性能向上 磁気刺激装置にも応用すれば機器のメンテナンスも簡単にできるのかな
音波 ①銅か 磁場 生成可能
②音波 磁場 制御可能
これらの組み合わせによるシステム バッテリーもパワー半導体も、次世代研究してたけど他国に違うもので作られちゃって個体電池も主流にはなれなさそうだし、これもちょっと厳しそうだよね。
中韓のパワー半導体のシェア率すごいから。 バッテリーもパワー半導体も、次世代研究してたけど他国に違うもので作られちゃって個体電池も主流にはなれなさそうだし、これもちょっと厳しそうだよね。
中韓のパワー半導体のシェア率すごいから。 >>7
ﾁｮｯﾊﾟﾘばっかり、悔しいﾆﾀﾞ!!、まで読んだｗ >>11
窒化アルミニウムの方が圧倒的に安い、とは思う 高い電圧をかけることができて省電力化が可能なのか
スマホのバッテリーの持ちも良くなるのかな >>11
ダイヤモンドより絶縁破壊電界が高い
とは言っても材料のスペックよりも半導体製品の作りやすさが重要
ダイヤモンド半導体はすでにMOSFETが作られて、来年には製品化しそう
窒化アルミニウムはpn接合の研究中という状態だから 新製品出るたびに買ってるんで
家にゴミ充電器が溜まりまくりだわ これも周期表的にはV-III族タイプの半導体でええの？
第ニと第三周期って随分若くないか 
