次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う
■立命館大学発スタートアップが目指す

　次世代パワー半導体材料の開発が加速している。
　現在主流のシリコンよりも優れたエネルギーの低損失や高耐圧を実現すべく、国内外でスタートアップが立ち上がっている。
　立命館大学発スタートアップのPatentix（パテンティクス、滋賀県草津市、衣斐豊祐社長）もその一つ。
　同社は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）に比べ、性能やコスト面で優れるとされる、ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r―GeO2）でゲームチェンジを狙う。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ 1/15(月) 15:10
https://news.yahoo.co.jp/articles/7bfacd23dc579bdfca04997e74c510c11a5a540f