【半導体】8インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ [すらいむ★]
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8インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ
昭和電工は産業技術総合研究所(産総研)と協力し、炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長技術開発に取り組む。
2030年度までにSiCウエハーの欠陥密度を10分の1以下にすることで、現在主流の6インチの次段階である8インチウエハー開発を目指す。
(以下略、続きはソースでご確認ください)
ニュースイッチ 2022年05月31日
https://newswitch.jp/p/32338 単結晶というかエピウェハのことかな
エピタキシャル成膜(成長)装置を使うとしたら製造装置メーカーの技術次第のような気がするが >>5
次世代半導体て種類多過ぎてワケわからなくなりそうだよね
炭化ケイ素が現時点で最も汎用性の高いものになるのかな?
違ってたらすまん >>13
素材自体は時代区分で変わるから古いかどうかは別に関係ない
コスパや性能が問題になるからね それよりチップの形状をトライアングルかハニカムにすれば効率的じゃね? >>15
単結晶を成長させて大きくするから、無理。 >>8
バルク単結晶だからSiCの棒状インゴッドを作製するための技術開発 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています