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2022/02/03(木) 11:05:26.45ID:CAP_USER東京工大、溶液法で高性能のpチャネルTFTを開発
■IGZO-TFTと組み合わせ、高性能CMOSとして機能
東京工業大学元素戦略研究センターの金正煥(キム・ジョンファン)助教、細野秀雄栄誉教授らは2022年1月、溶液法を用いて、優れた半導体特性を有する「pチャネル薄膜トランジスタ(TFT)」の開発に成功したと発表した。
新規開発の材料ではなく、既存の物質同士をうまく組み合わせ、それぞれの長所を生かすことによって実現した。
n型半導体は、アモルファス酸化物半導体「InGaZnO(IGZO)」を用いたTFTが、高精細液晶ディスプレイなどで実用化されている。
IGZO-TFTは、シリコン系TFTに比べ、「キャリア移動度が10倍以上高く、大面積の薄膜を低温プロセスで作製できる」などの特長がある。
(以下略、続きはソースでご確認ください)
eetimes 2022年02月02日 10時30分
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2202/02/news040.html