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【量子力学】英ランカスター大、DRAM並の速度かつ100分の1の消費電力で動作する不揮発性メモリ「ULTRARAM」[01/23]
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0001サンダージョー ★
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2020/01/30(木) 00:25:36.18ID:CAP_USER
1/23(木) 6:00配信
https://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20200123-00000019-impress-sci
https://ieeexplore.ieee.org/document/8948343
https://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/1230/799/01_l.jpg

　英ランカスター大学は7日、DRAM並みの速度を実現する不揮発性メモリ「ULTRARAM」を発表した。

　Transactions on Electron Devices誌に掲載された、ランカスター大物理学研究チームの論文によれば、ULTRARAMと称するメモリは、トリプルバリア共鳴トンネリング(RT)構造の量子力学現象を利用した化合物半導体電荷蓄積メモリで、不揮発性かつ低電圧でのデータ書き込みおよび消去が可能というこれまでにない組み合わせのメモリを実現する。

　化合物はヒ化インジウムとアンチモン化アルミニウム(InAs/AlSb)から成り、NANDフラッシュ(1.6eV)を上回る2.1eVという大きな障壁を持ち不揮発性メモリとして動作する。ソフトウェア上で行なわれたシミュレーションの結果では、デバイス消費電力は非常に小さく(読み書き時2.3V以下)、単位面積あたりのスイッチングエネルギーはDRAMの100分の1ながら、同等の動作速度を発揮できるという。

　速度については、5nsの立ち上がり時間と5ns間の書き込みサイクルで、DRAM同様に10nsの合計パルス時間で動作する。

　20nmのフィーチャーサイズで競合するメモリ技術と比較すると、スイッチングエネルギーの小ささはDRAM比で100分の1、NANDフラッシュ比1,000分の1で、そのほかの新メモリ技術と比較しても大幅に小さく、不揮発性メモリはメモリセルの状態を変更するために揮発性メモリよりも多くのエネルギーを必要とするという従来の定説を否定する結果を示している。

　なお少量の電子の漏れによってデータが破損する問題もあるが、10nm未満のフィーチャーサイズまで微細化が進まなければ問題にならないという。

　同大学では、データが堅牢に保存されると同時に簡単に変更できる「ユニバーサルメモリ」を実現するものになるとしている。

PC Watch，佐藤 岳大
0002ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 00:28:20.49ID:asALpRXI
>>1
話は色んなところからいくつも出るんだが、物になるのはほとんどない、
0003ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 00:39:27.63ID:Zlt4BFnW
ウルトラム
0004ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 00:39:32.09ID:zExCLJpS
ランチェスター理論のランカスター？
0005ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 00:43:58.07ID:fhWCnA49
メインメモリにも使えるとサスペンドの電力消費ゼロ
パームos復活？
0006ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 01:05:16.84ID:tFjz6o9f
だっちゃ
0008ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 03:14:45.36ID:6/zKzk1f
安く普及すれば結構なことだがＥＭＰ対策の問題は残りそうな
0009ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 03:27:33.94ID:+rxSfwQI
そんなに早くなくてもいいよ。
0012ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 04:53:45.56ID:dUU7HgsW
コアメモリみたく、クソ古いコンピュータに電源を入れたら
３０年前の作業途中の状態のまま起動したとか・・・ああいうのが理想だな

ＭＲＡＭが少しは流行ると思ってたけど（実際製品は幾つか出たけど）
あまり一般化しなかったよなぁ。

フラッシュメモリとか光で消すROM以外では一番売れてるかな？
0013ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 04:59:21.75ID:03YGriEO
材料費が高そう
微細化技術もこれからだろうし
ていうか、まだソフトウェア上で行なわれたシミュレーションレベルだった
10年でなんとか実用化期待
0015ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 05:24:31.24ID:nc3UivH2
>>7

インスタンスを複製しないとダメだから実質残る。
Palmのようにはいかない。
0016ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 05:33:43.02ID:XmEUO8U9
>>11
経験上そうならざるを得んわな
0018ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 07:12:03.21ID:BTIi8U3z
化合物半導体かよ
間違いなく普及しないわ
0020ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 09:37:39.63ID:IB0J/f+6
コンピュータメモリは工学だろ
0022ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 10:51:44.05ID:3BiTAh2o
単体で開発してねーだろ
0024ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 12:38:00.84ID:F7Hic/1p
よく技術分からない上司から「技術が分からない人に技術的な事を分かりやすく伝えろ」と言われるが、

目が見えない人に空の青さをどう伝える？

匂いが分からない人にバラの香りをどう伝える？

聞こえない人に歌のすばらしさをどう伝える？

そういう事なのだ。
0027ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 15:53:24.50ID:sCh4ASQ2
>>23
>>13
0028ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 19:19:53.00ID:UeXke2o/
半導体として試作すらやっていないとか、糞レベルの成果だね。
たかが１KBとかいうレベルのメモリすら試作していないとか
どこの学生の論文だよ、ちゃんとした予算があるところならそのぐらいやっている。
0029名無し
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2020/01/30(木) 19:40:11.10ID:xAHuIFPA
3D構造じゃなかったら話にならんぞ
0030ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 21:21:47.23ID:WPtxLn3+
電磁パルス(EMP爆弾)攻撃に対応できるの?
0031ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 21:30:20.89ID:G0U4aj7n
>>24
それは違う
0034ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/01/30(木) 21:54:54.68ID:Zd8CoNK7
>>1
レガシーランカスターってあったな
0039ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/01(土) 13:48:37.09ID:dkcBmXw6
>>2
まさにこれ

おそらく、現在のDRAM大手3社からしか、真の革新性を備えた代替品は出せない
0040ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/01(土) 14:44:34.39ID:eV7j5QkV
>>38
？？
>ソフトウェア上で行なわれたシミュレーションレベルだった
憶測できるレベルじゃねーことくらいわかんねーのか？
0045ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/02(日) 10:40:59.10ID:Pq7t8yhV
DRAMの転送速度を上げて欲しいんだけどな。
0046ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/03(月) 08:25:42.83ID:teBpuptG
>>24
その例えは、知能の無い相手に技術を伝える場合にしか当てはまらん。
そんな例えしかできないから、説明が下手で上司からそんなこと言われるんじゃないの？
0047ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/03(月) 09:40:31.25ID:chDrg4ZV
>>19
ハイ！
0048ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/03(月) 09:51:16.61ID:LwP+xVxp
現在のフラッシュメモリのサイズで同等程度の記憶容量が実現出来てから
ニュースにしてくれ
0049ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/03(月) 10:42:47.95ID:p7b1bTv5
>>38
原文見てくればいい。
アブストにはっきり
　Simulations show that the device consumes very little power, with 100 times lower switching energy per unit area than DRAM, but with similar operating speeds.
とあるし，本文見ても実験はしていない。コンセプトをシミュレーションで確かめてみました，そうしたら，こんな性能になることが予測できましたって内容。
実験で試したくても資金や設備がないときに出す論文。パテントは既に申請してあるんだろうから，それを担保に資金提供を，場合によっては職の提供もお願いして回っているんじゃないか。
パテント申請が出た時点でＤＲＡＭメーカーさんたちもシミュレーションして試作するか検討してるだろうけど。
0052ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/10(月) 19:50:21.06ID:E4e4LJxG
　
RAMBUSの悪夢再来か？(笑)
0054ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/13(木) 14:00:28.83ID:lC+TiRhv
>>51
素人にはすばらしいというしか言うことしか書いて無いけど
DRAMが電気を使う理由とか、トンデモでしかないような説明ばかり
ベルトコンベアーで運ぶような原理という表現だって、それはパイプラインで
DRAMがすでにやっていることだし、接続の消費電力は電圧と動作周波数と伝送距離で
決まる半導体の不変原理も無視しているような説明だし。
3000MHz近くで伝送しているDDR4がさらに速度だせないのはパラレルインターフェースと
CPUとDIMMの２つのソケットと配線の引き回しが全体総量で20cm近くまで長い点なのだし。
1000倍早いそれは、それだけメモリチップがCPUに近くなければ光速不変の原理やぶりそうだ。
DRAMが遅いのはレイテンシであっても帯域不足が原因じゃないDDR5,DDR6,HBMと加速している。
0055ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/14(金) 10:23:05.97ID:LdyXXClT
SSDのようにデーターバス上で信号の転送を多値レベルで行うには無理があるかな？
たとえば1本の線に4つのレベルを設けて2ビット載せて送るとノイズに弱くなる？
電力効率が悪くなる？
0057ニュースソース検討中＠自治議論スレ
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2020/02/15(土) 00:01:14.35ID:G2yoWYZN
DDRは、供給クロックの立ち上がりと立ち下がりのタイミングでデーターを
送っているつまり周波数が2倍なのであって、1本の線に電位レベルを4つ設けて
データー転送レートを2倍にしているのではありませんぞ。
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
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