【半導体】IBM・GF・サムスン、線幅５ナノの半導体製造プロセスにめど [無断転載禁止]©2ch.net
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線幅５ナノメートルのトランジスタを作りこんだシリコンウエハー（米IBM提供）
米IBM、半導体受託製造大手の米グローバルファウンドリーズ（GF）、韓国・サムスン電子などで構成される研究コンソーシアムは、線幅５ナノメートル（ナノは10億分の１）の半導体チップを可能にする業界初の製造プロセスを開発した。線幅10ナノメートルの現行チップの次々世代の半導体で、実用化されれば10ナノチップに比べ、40%の性能向上と75%の省電力化が見込めるという。京都で開催中の半導体技術と回路に関する国際会議「VLSIシンポジウム」で5日発表した。
同コンソーシアムが線幅７ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ（FinFET＝フィンフェット）構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してきたナノシート半導体の技術を採用。７ナノと同じように極端紫外線（EUV）のリソグラフィーを使いつつ、ナノメートルの厚みのシリコンシートにトランジスタを作り込み、それらを積層して高密度の集積回路を製造する手法にめどをつけた。
開発中の７ナノチップでは爪先ほどの面積に200億個のトランジスタを詰め込むことができるのに対し、今回の５ナノの技術では同じ面積に300億個のトランジスタが入るという。人工知能（AI）やIoT（モノのインターネット）、クラウド上のビッグデータ処理向けの半導体などに役立てられ、モバイル機器に応用すれば、現在のデバイスに比べて電池が２−３倍長く持たせられるとしている。
一方、コンソーシアムメンバーのサムスンは２月、３次元構造のフィンフェットで線幅10ナノメートルのプロセス技術を採用した独自マイクロプロセッサーを発表。同社が４月に発売した「ギャラクシーS8」に搭載した。また、GFでは2018年に７ナノチップの量産に入るという。
(2017/6/6 16:00) >>1
>現在のデバイスに比べて電池が２−３倍長く持たせられるとしている。
OSやアプリが２−３倍余計なことをやり始めるので無理 >>2
余分なことするなら、計算力使うんだろうから、見た目が使いやすくなるか、かっこよくなるか、便利になるだろう。
良いことじゃ無いか。
まだまだムーアの法則は健在だな。 俺がいたころは、90ナノだったのにセムでみれんのか？ 40%の性能向上ってこれまでの世代更新に比べたら大したことない気がするが なのは、はかせの作ったチップとぜんまいで動いている インテルですらIDFやめたんだから、もう目を覚ましたら？ >>5
確かに、インラインで使える測定装置も必要だな シリコン原子50個分くらいの線幅？容量16倍になるときは12個分の線幅か、そろそろ限界そう、、、 トンネル効果で５ナノが最後かな。これは物理限界だから本当に無理だろう
これ以上はオンオフが怪しい、というかずっとオンのままで制御できない >>14
IMECは1.4nmまでのロードマップを示したぞ
まぁ2nmくらいまではいけるだろう 大学のころ50nmが次世代とか言ってたのに。早いもんだな。 >>4
それが、スパゲティインターフェイスのFAX複合機のように これでＣＰＵの進化も止まるのか？
進化しない世界ってのはどうなるのんだろう？
進化の境界線までもうすぐかも アメリカ、EU、ドル、ユーロ売国奴上級ハイウッチとは、医者、政治家、看護師 、最高裁判所長官、その他支配階級に多く穏れている、
上級公務員にも多く隠れて活動している 特徴は、拝金主義者であり、計算高い、みんなから、尊敬されていて
リーダーや先生と呼ばれている、子供の項、貧しく、虐待を受けた経験を有する、外観は、美しく完壁だが内面は、
ダメな奴が多い、
国税局に脱税者の名前と証拠を連絡 代表パナマ文書、new world order推進のためだとか言ってるが、やつらの正体は、これだ
偽善者と偽装社会 >>26
このVLSIシンポジウムは日本とアメリカで交互に開催してきたもので、もちろん日本側からの発表も多々ある
パナソニック、富士通、ソニー、ソフトバンク、東大、東工大など
でももっとも野心的かつ多彩な発表をしたのはサムスンだね
あとはIBM、Intel、米大学や台湾の大学など 半導体製造の分野でもサムソンが絡んでるんだな
日本はマジで終わってるな >>4
アホみたいなことに使われるんだけどな。
aero glass とか metro ui とか。 機械さえあれば馬鹿でもチョンでも作れるという証明
日本企業は日本人にしか作れない物を探して作っていかないとな。 日本が力を入れるべき分野は誰でも格安で半導体作れるマシーンを作ることだ。
そしたらチョンは滅びる。日本はもう助けないから韓国は１００％終了。
アメリカはチョンと違ってイノベーションしていくだろう。 5ナノ？15年前に大学院いた時に15ナノ以下は無理って言ってたのに可能なのか… ネトウヨ 「サムチョンの半導体製造装置は全部日本製だよ！誇らしいなぁ！」
米＋チョン 「は？www」
↑このスレを2行で表すとこれで合ってる？(´・ω・`) この先は消耗戦だよ。
日本は半導体製造から早めに手を引いてよかった。
こういう仕事は後進国にやらせておけばいい。 IBMが5nmプロセスのチップ製造に成功、世界初のEUVリソグラフィ実用化へ
http://gigazine.net/news/20170606-ibm-5nm-chip/
最高で3nmまで微細化できるらしい >>35
常識とは、18歳までに身につけた偏見のコレクションのこと まあ、Intel は出来てても何も言わんことがあるからな。 Intelが研究してないわけないし成果が無いとも思えない
発表してない成果は確実にある >>39
当時は液浸の研究行ってる段階で、その時点で量産性なさ過ぎだから無理でしょと思ってたわ。
しかも5ナノって光が粒子なのか波動なのか良くわからん世界になってきそうだし、少しでも露光をミスれば断線する。
電子もちゃんと流れてるんだか漏れてるんだか謎。
これを実現出来るのは常識を超えて、素直に凄いと思う。 つい数日前にnVidiaの偉い人がムーアの法則は終わったからこれからはGPUの時代だとか言ってたような この手のニュースに日本メーカーが出なくなって久しいな
日本半導体産業の最後の砦である半導体製造装置も技術革新についていけなくなるのではないか いや、GPUはまだ保つってだけ
そんな積極的な発言じゃない 半導体製造装置はオランダのメーカーが凄く伸びてるよね これを載せられる基板があるのもすごいわ
ショートせずに絶縁性保てるの？ 酸化させるだけで良い絶縁体になるからシリコンが主流になったんよ >>6 多分クロック上昇分だけで、トランジスタ増やす分が入ってない。 >>53
ああ超微細IC用の基板ってシリコン結晶なのかー
基板といえばガラスクロス樹脂銅板の組み合わせだと先入観があったわ エラー訂正のマイクロコードを大量に組み込んで対処とか？ >>55
言葉足らずだったけど要するに酸化させたシリコンの繊維層が中にあるのが当たり前だと思ってたから繊維間の隙間が対応できないんじゃないかと疑問に思ったってことね >>1
プロセスルールの数字はトランジスタのゲート長さであって配線幅じゃないぞ もうニコンもキャノンもeuvの開発はやめちゃったんだよね ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
