【Flash】SSD Part196【SLC/MLC/TLC】
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>>783
ttp://www.famicom.biz/all/catalogue/ss_s_c1.jpg >>784
ひょっとしてマルコンってマルチコントローラーの略称だったのか…丸いからマルコンかと思ってたが >>774
「XL-FLASH」って疑似SLCキャッシュの事だろ?
https://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/1137/606/html/photo009_o.jpg.html
上図のTLCのレイテンシがフルフラットな事からしても、
ずるいアピールだな。
>>780
結局1,500回OKが、実際のSSDのTBWに、どれだけ
貢献するのか、製品のスペック待ちだな。 SU800の2TBって新製品だったのか…
SU800の 256GBは同じMicron32層でもCrucial MX300より低いグレードのNAND使ってて
ロシアの耐久性テストしてるサイトでも散々でしたが
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2016/09/01/938764/endurance-final.png
今ごろ出るってことは、2TBは新しいチップ使ってるんかな >>792
3Dが旧製品の2Dの1/9しかないな
さすがに外れ品かね SU800/256の間違いスマソ
ただ2016年のスペックには、TBWが非記載だったので、176TBWで駄目に
なっても、スペック倒れとは言えないが。
http://www.adata.com/upload/downloadfile/Datasheet_SU800_EN_201608.pdf SU800は少し前からみかかで売っていたな
仕入れたのが少し早かっただけか 【ボクノカンガエタサイキョーノSSD】
SLCを1割
MLCを2割
TLCを3割
QLCを4割
を使った980GBのSSD
これなら100GB分はMLC以上の耐性だ ボクノカンガエタサイキョーノコントローラーは一つで済むのだ >>792
それと同じシリーズのSandisk ULTRA3D買ったばっかやで。 >>801
あれ青3Dと中身全く同じらしいね(´・ω・`)
試験に使ったのが偶然ハズレ個体だったのかね
そうだと信じたい >Micronの2TB(SSD1100)が120TBW
QLCの酷さが良くわかる数字だな https://3dnews.ru/938764/page-3.html#ADATA%20Ultimate%20SU800
SU800の詳細
https://3dnews.ru/938764/page-3.html#Western%20Digital%20Blue%203D%20NAND
Blue 3Dの詳細(同じページの下の方)
どちらも普通に劣化して死んでるので突然死ということでもない。
テスト方法との相性が悪かったか、ハズレだったか
わかるのは「同じテストをして、寿命の短い個体がありました」ことだけ
テスト方法が変われば、また違う結果が出るんでしょう
https://3dnews.ru/938764/page-2.html#SanDisk%20Ultra%203D
SanDisk Ultra 3Dは443TBで継続中ですが
それでも既にNANDの質が良くない傾向が出ているようです
https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2016/09/01/938764/endurance-final.png
全体で見るとIntel・Micron・Samsungの3D TLCが強い
Smartbuy Puls 256GBが非LDPCのPhison S10+Phisonパッケージの東芝3D NANDで
Sandisk・東芝の3D TLC最上位かな https://3dnews.ru/938764/page-3.html#Crucial%20MX300
ついでですけど
Crucialはすぐ寿命が減り始める、という話があるのですが
MX300みるとCrucialの
Average Block-Erase Count(平均ブロック消去回数)
Percent Lifetime Used(残り寿命)
は上下する謎仕様なので、アテにならないというか気にしちゃダメ ニューヨーク・タイムス(以下NYT)の編集委員に任命されたサラ・チョン(韓国系)が
過去に白人絶滅を願うツイートしていたことが発覚し、大炎上しています。
驚くことにNYTは彼女が過去にこうした発言をしていたことを知りながら採用し、
非難が殺到した後も擁護する姿勢を貫いています。
https://twitter.com/cyan112/status/1025317399329955840
・白人は(びっしょ濡れ)の犬のような臭いがする。
・白人男性のおっさんにひどい仕打ちをするのが大好き
・白人男性はクソだ
・白人は遺伝子的に日焼けに弱いからゴブリンのように地下で暮らすしかない
https://twitter.com/cyan112/status/1025321558259245056
サラ・チョンは白人だけではなく、非白人の男性と警察も大嫌いで殺したいと発言しました。ひどい人種差別主義者 +セクシストですねぇ。
https://twitter.com/cyan112/status/1025632164438835201
続きはソースで
https://snjpn.net/archives/61516
https://twitter.com/5chan_nel (5ch newer account) ___ ______
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(__r___ノ (.__つ | | | :| もしかしてNMVeをOS・ソフト領域用にするのってあんまり利点ないですか?
Windowsの起動とソフトの起動時くらいしか恩恵ないのかな? >>808
むしろなんで利点無いと思ったの?
どの用途なら利点あると思うの?? >>803
Micron 1100の2TBは400TBW
MX300と物は同じだから3DTLC >>809
自分ではソフトとOSの起動以外に思いつかなくて
他に利点があれば教えて下さい >>812
ソースも貼っていただきありがとうございます
(後でじっくり見てみます)
ソフト起動があまり変わらないなら自分では使いどころないみたいです
私みたいな素人が活かせるとしたらギリ動画の書き出しに使える…くらいかな
私の場合はOS領域には2.5 インチSSDを使ってメモリ盛る方がいいかもしれないですね
>>813
情報ありがとうございます
スワップあまり理解できてないので調べてみます 動画の書き出しでも、例えば100MB/s程度ならHDDでも充分かな
複数タイムラインでの動画編集なら、映像をSSDに分散すると
リアルタイムプレビューで「ストレージ起因の」ラグを減らせる >>811
起動時以外の読み込みでも10秒以上要するようなゲームで差が出るだろ! そもそもドザの遅延書き込み&キャッシュ大容量化でHDDの遅さは致命的な
欠陥にならないとされていたのに(起動のときはストレージ本来の遅さが見えてしまうがな)
SSDが主流になるにつれそこをほじくり返すのはどうかと思う
HDDの遅さはキャッシュで隠蔽できるってのが正しい技術観 >>817
Windows10が悪いよWindows10がー
あいつがHDDの遅さは致命的な欠陥になる
って事を広く知らしめてしまった PCやAPLの起動は、低Qなランダム4K性能に依存するから、NVMeにする
メリットが無いわな。
高発熱さえ何とかなれば、省スペース&配線要らず、なメリットが出るが。 補足
あとPCIex2&DRAMレス(但しHMB機能でカバー可能)で、SATA3並な
性能のままでも、筐体無しも含めて低コスト化≒低価格化のメリットが
期待出来る。
余談だが、修理廃人さんの「SUNEAST SE800 NVMe 256GB(SM2263XT
DRAMキャッシュレス)」のCDMを見ると、HMBが未設定っぽい。
(ランダム4Kreadが低すぎる。) >>819
前調査した、Windows10のOSブートからレディ状態までのトレースだと
4405回数のうち、4kI/Oは641回のみ、64k以上が1776回と
中ブロック以上のランダム〜シーケンシャルアクセスが多い しばらく自作から離れてたらMLCが絶滅してるやん
サンディスクもTLCになってるし今の鉄板はどれなんだ? MLCも絶滅までは行ってないかな
低グレードや選別落ちのTLCのNANDをMLC動作させるものはそれなりに流通してるし
選別落ちが製品に使われることなどないとか低グレードでもMLC動作なら上位のTLCより
長寿命とか主張してる人もいるので評価は自己責任で
って選別落ちNANDのリマーク品使用製品を自社ブランドで売ったド○パラさんがいってた
ねぇねぇ
今どんな気持ち?
ノ´⌒ヽ
γ⌒´ \ ..--‐‐‐‐‐--,.
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i./ ⌒ ⌒ .i )ハッ __ _,, -ー ,, ハッ .," ) (. <::::::::| デマに乗せられて
♪ i (・ )` ´( ・) i,/ ハッ (/ "つ`..,: ハッ. /-・=‐ ‐・=- |::::::| 今、どんな気持ち?
l * (__人_) .| :/ ネトウヨ ::::::::i:. | ー(_人_) ー' )| ねぇ、どんな気持ち?
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ヽ___ ヽノ 、`\ ヽ.....::::::::: ::::ij(_::● / ヽ,ノ ___/
/ /ヽ < r " .r ミノ~. 〉 /\ 丶
/ /  ̄ :|::| ::::| :::i ゚。  ̄♪ \ 丶 何も考えずに懲戒請求して(笑)
金払えるのか?バカウヨw >>822
NVMeならWD Black・Extreme Proが鉄板
SATAなら適当に有名メーカーの安いのでいいんじゃね SanDiskとWDって今は中身一緒なんでしょ?
代理店がExtreme Proのステマがバレてた過去から避けたい
PC Storage Labは他のテストはしないみたいだしw あ?何がステマだボケ!(´・ω・`)
サムチョンの方がステマ酷いだろバカ sandiskはWDグループ
NANDチップは東芝と一緒に四日市で作ってるのでチップは3社一緒 スレタイからSLC消して代わりにQLC入れるべきだ >>834
SSDに関する総合スレなんだから除外は反対
【SLC/MLC/TLC】から【QLC/TLC/MLC/SLC】に変えることを提案する なくてもええんやで
てか3D XPointもあるで、いれんでええけど >>836
間違った意味のままでよくもまあ気持ち悪くないねえ これから出てくる製品としては
サムスンのZ-NANDとか東芝のXL-FLASHは3DSLCだって言われてるしな >>841
すまんが何が間違っているかおしえてくれるか >>844
mlcをdlcにしろとかゆーんだろ どうせ DLC表記は理想だけど、現実には使われてないもんな よくもまあたった3文字に間違いを詰め込めたものだと感心する
言葉の意味を考えたりしないのかね? ただの記号だと思えばええやん
あとは君の啓蒙活動しだいや
価格コムとかでやったほうがええで、影から応援するで じゃあ正しい表記は何さ それとスレタイ変えるなら賛同も取ってよ 普通に
1ビットセル
2ビットセル
3ビットセル
4ビットセル
って言えないのかねえ
1値セル
多値セル
3値セル
4値セル
じゃ意味が通じないだろうに >>853
理想はわかるで
でも現実が追いついてきてないんや
いちおう君の希望のスレタイ教えてくれや >>853
長い
役に立たない。失格
3文字以下にして出直してきて? 意味がトンチンカンなアホ用語を使わなければ何でもいい >>853
スレタイというのは、スレ一覧から探しやすいようなワードを含めるようにするべきだと考えてる
一般的に2ビットセルはMLCと呼ばれることが多いからMLC表記のままでいい
同様に3ビットセルはTLC、4ビットセルはQLCのままでいい
そんなオナニーコラム載せたいのならスレのテンプレにでも含めるように相談したら?
俺は賛同しないが >>858
その基準を知りたいんや
君みたいのはすぐ文句いうやん ちなDBCってのも間違ってるからね
上でバカが得意げに講釈垂れてたけど >>853
結局自分が気に入らないから皮肉ったってだけかいな!
相手して損したわ、NG登録しとこ ハゲ散らかした臭そうなおっさん同士で言い争ってると思うと笑っちゃいますね 身体だけデカくなって精神は成長していない「大人」の皆さんこんにちは >>824
>低グレードや選別落ちのTLCのNANDをMLC動作させるものはそれなりに流通してるし
まだこんな妄想垂れ流してる
廃人サポーターは懲りないな > 電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。
> 2018年8月7日にフラッシュメモリに関するイベント「Flash Memory Summit」の基調講演で、ふれたもの。
情報一週間遅れ?この人の記事掲載ペースのせい? フローティングゲートはどうにも筋が悪い
インテルは3D XPointに賭けるんじゃないか? Samsung強過ぎんだろ?
マジで他も頑張って欲しい Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1137822.html
3D NANDフラッシュのメモリセル技術ではこれまで、電荷捕獲(チャージトラップ)技術と浮遊ゲート(フローティングゲート)技術の2つの技術が併存してきた。
電荷捕獲技術を採用しているのは、Samsung Electronics、東芝とWestern Digitalの企業連合、SK Hynixである。
浮遊ゲート技術を採用しているのは、IntelとMicronの企業連合だけだった。
電荷捕獲技術と浮遊ゲート技術を比較したときによく言われているのは、
メモリセルの構造は電荷捕獲技術が比較的単純で作りやすく、
長期信頼性、とくに高温特性に関しては浮遊ゲート技術が有利であるというものだ。
もちろん電荷捕獲技術を採用している陣営は「実用的に問題ない信頼性を確保している」と表明しており、
浮遊ゲート技術を採用している陣営は「コストの競争力は十分にある」と主張してきた。 Micronはintelに付き合わされてた感はあったからな USBメモリって何GBくらい書けるんだろうな
例えば16GB/MLCのUSBメモリの場合 ROMは大昔にリードオンリーメモリーじゃなくなっているから
MLCもMLCって記号だと考えればいい EEPROMの時点で既に実質的にリードオンリーではなかったのかな EPROMでもリードオンリーではないな
PROMくらいまでがROM
それ以降はStaticMemoryとでも言えば良いのか、書き換えは出来るが基本はROMと同じ用法ですよみたいな ちょっと調べたら
RAMも同じようなことになってんだな
SRAM、DRAMとかのRAMは本来のランダムアクセスからはかけ離れている ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています