【Flash】SSD Part196【SLC/MLC/TLC】
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デフラグ切れてるのにデフラグツールがどーのこーのって
お前だけだアホｗｗｗｗｗｗ >>350
Windows10はSuperFetchはデフォでONになってる、SSDでも
恐らく速度向上ではなくユーザーの使用状況や挙動収集報告・ビッグデータ目的で使われてると思われる >>396
恥の上塗り
Windows10持ってないの？
SSDがどういう設定になってるか見てごらん 壊れたSSDは俺のところに持ってこい
データ復旧してやるよ >>399
何Windows10の話に切り替えてんだ、朝鮮人かお前ｗｗｗ 64層TLC/5年保証なSSDに、KingstonのUV500も有ったのだが、今までは
他社に値段で全く対抗出来なかったけど、ようやく少し検討可能な値段に
下がってきてた。
キングストン Kingston SSD 240GB 2.5インチ SATA3 3D NAND搭載
UV500 SUV500/240G 5年保証
https://www.amazon.co.jp/dp/B07CCD16YD/
＞価格: ￥ 8,100 通常配送無料
キングストン SUV500/480G [480GB SSD UV500 (2.5インチ 7mm / SATA 6G /
Marvell 88SS1074 / 3D TLC / 5年保証)]
https://www.e-trend.co.jp/items/1175457
＞\14,134（税込）送料無料！
尤も、同じコンとローラなWD青3Dに比べると未だ高いけど、
960GB(480TBW)品や1.92GB(800TBW)品と、TBWが高めな
のがメリットかな。 キングストンなのに他社製品よりも安くないとか存在意義が全くないという面白商品。 KingSpec, KingMax, KingFastとか
「Kingなんとか」がたくさんあるんだけど
あれは全部、Kingstonの一流メーカーイメージを狙った類似品？
Kingなんとかが増えすぎたせいでKingstonもうさん臭くみえてくる Zheinoは何て読むの？
ゼットヘイノ？ツェイノ？ Kingstonに一流メーカーのイメージ全くないな…
Samsung、Micron、Sandiskあたりが一流でそれ以外の有象無象という感じ
特にKingstonは勝手に中身変えた全科あるし
Intelは結構やらかすから微妙 Kingstonは中身が東芝だった頃は何回か買ったなあ >>412
俺はクルーシャル、インテル、サンディスクが一流イメージ お、こないだインテルのM.2とサンディスクの500GB買ったオレ正解？ >>412
Kingstonはメモリーだと有名メーカーじゃないの。だから一流メーカーとかいた。
Samsungあたりは超一流メーカーだわ
microSDだとSanDiskは偽物多いらしいしSSDでも警戒対象だわ 偽物多いってのはamazonとかで売ってるのがガワだけSandiskのパチモンが多いってことで
まともな店が仕入れたものに偽物があるわけじゃないぞ 俺はmicroSDの並行輸入品は風見鶏でしか買わないわ
あそこは割と信頼できる WD、1.33TbのQLC(4bit/cell)の96層3DNAND(BiCS4)を開発完了
サンプル出荷を開始予定、量産は今年の後半からの予定
QLCをまずはSanDiskブランドのコンシューマSSDから搭載していき
その後はリテールチャネルやエンタープライズSSDに徐々に浸透させたいと
Western Digital Begins Sampling 1.33 Terabit, Four-bits-per-cell, 96-layer 3D NAND
https://www.businesswire.com/news/home/20180719005968/en/Western-Digital-Begins-Sampling-1.33-Terabit-Four-bits-per-cell クルーシャルの公式移行ソフト使ったら
個人を特定しないようにアップルにデータを提供します
という規約に同意しろとか出てきたんだけどなにこれ怖い QLCでもがくっと安くなるとかならいいけどどうせ今のTLCと変わんない値段で売るんだろうな >>419-417
自分フラッシュメモリ関連製品だいたい
アキバの浜田電気で買ってますが信用できますかね？
>>419
自分フラッシュメモリ関連製品だいたい
アキバのａｒｋ（アーク）か東映無線、
もしくは、あきばおーで買ってますが信用できますかね？
>>423
× 浜田電気
○ 浜田電機（ Webショップ： 秋葉Direct ）
TLCでも恐ろしいのにQLCとかガクブルなんですけど
しばらく使ってると数か月で電荷抜けるようになりそう まぁまずはSanDiskのSSDからQLCを投入するってあるしね
その辺は人柱様がそれなりに出てくれそう、ブランド的に 途中送信失礼、ただ3D NANDはプロセスルールが緩いから
QLCでも2D TLCよりかは相対的な電荷数が多い主張を今は亡き東芝がしていた
但しこれは、CT方式の熱によるデトラップのしやすさは考慮されていない そのうちQLCのUSBメモリとか出るんかな
USBメモリってNAND仕様明記してないの多いし不安だな 大容量化は多層化技術でブレークスルーした
MLCでも１TBのSSDは無理なく生産できるだろう
TLC→QLCにおいては３３％の容量増加に過ぎない
それより電荷閾値のマージンの無駄のほうがインパクトでかい >>430
インパクトデカいかどうかはお前が決める事じゃないよバーカ >>420
サンプル出荷開始だから、ssdとして実際に製品が発売されるのは6ヶ月後の12月中だろうな。
その時期にガクッと値段下がると予想。 パートナーの東芝メモリとは食い違いがあるね
WDがQLC生産ラインを優先的に取られたか
WD側のいつものブラフなのかは判らないが
東芝メモリ側は、今年9月にサンプル出荷を開始
本格的な量産は2019年から開始予定とある
https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2018/07/memory-20180719-1.html 将来のゲーマー向け周辺機器で使われる？ x86ともCortexとも違う独自CPU向け命令セット「RISC-V」とはなにか
https://www.4gamer.net/games/999/G999902/20180717051/
> なぜWDは，ARCからRISC-Vに切り替えようとしているのか？ ロイヤリティにかかるコスト以外の理由としては，ストレージ用コントローラに対する要求の変化がある。 >>436
WDのプロセッサに話を戻すと，現在はRISC-Vベースのコントローラを2種類開発中で，最初のものが2019年に登場するという。
ただ，すべてのチップをRISC-Vベースに切り替えるまでは，5〜7年程度かかるだろうという見方をFink氏は示していた。
そんなわけで，2019年に登場するWDのHDDやSSDには，RISC-Vベースのコントローラが載っている可能性は高いだろう。
ただ，HDDやSSDの製品そのものは変えずに，コントローラ基板だけが新しいものに切り替わってる可能性も高いので，RISC-Vへ移行したことがユーザーに分かるどうかはなんとも言えない。 ないと思う
聞いたことある名前のSSDのコントローラーはSMI,Marvell、自社開発だし
聞いたことない名前のはSMI,Marvell,Phisonだから SandForceって昔プチフリーズで有名だったやつだっけ
新しいモデルもプチフリーズとかの問題抱えてるの？ SP120GBSS3S60S25 (S60シリーズ)
レビューによるとSandForce SF-2281搭載らしいね >>430
MLC(3bit)→QLC(4bit)で33％増加ってw
3bit=8、4bit=16、16/8は２倍だ。まさか4/3だと思っていたのかww お？廃人を叩くのかこの野郎
Twitterの自作界隈で超有名で発言力高い俺が許さんぞ >>448
絶対的な数値の話をしているのではなく
その数値を格納する入れ物の大きさの話をしているのやで
坊や 入れ物の大きさってなんだよ
単位を書け
普通メモリの容量といえば
単位はビットやバイトだ マジレス
3bitは8種類の値を表現できる、4bitなら16種類だが‥これをフラッシュメモリに当てはめるのは間違い
フラッシュメモリのTLCは3bitの情報量があるわけではなくて、3値すなわち4つの状態を記録できる（ひとつは情報なし＝0）
SLCが0か100だったところ、MLCは0,50,100ってかんじ
TLCは0,33,66,100
そうすると、TLCからQLCになったときにどれだけ容量が増えるかわかるな？
倍じゃなくて33%な フラッシュメモリであってもbitの定義は変わらない
8値とか16値の「値」は「通り」と言い換えられるもので、記録できるデータの数ではない
メモリセルに保存されるのは常に1つの状態のみで、それがSLCなら2通り中の1つ、QLCなら16通り中の1つ
1bit記録のSLCが4つあれば、2値×2値×2値×2値で16通りの組み合わせがあり得るから4bitに相当する
これと同等の「値」を単一のメモリセルに記録できるのがQLCということ
QLCのメモリセルに記録できるデータ量はSLCの4つ分であり、TLCの1.33倍で間違ってない SLCなら2の1乗、MLCなら2の2乗、TLCなら2の3乗パターンの電荷を読み書きできないといけないってのを反対に覚えてんじゃないかな 表記と意味が違ってる用語をしつこく使うからこういう勘違いがおこる SSD業界やフラッシュ業界はアホばかりなのか？
何の疑問も持たずに間違った用語を使い続ける 表記の問題ならRAMってのはランダムアクセスメモリーだけど、ROMもランダムアクセスメモリーという問題があるんだよな
因みにシーケンシャルアクセスメモリーと言えば、フラッシュのご先祖様のEEPROMがそんなインターフェースだったな >>462
スマホスペック
RAM: 3GB
ROM: 32GB ←！？ >>467
フラッシュメモリーってのは電気で消すことが出来るプログラマブルロム＝EEPROMの進化系なので
一応表記としては問題なかったりします だからEEPROMのEEPを省略すんなって話だよ
フラッシュROMと記載する場合も同じ EEPROMも
ROMはリードオンリーメモリーということになってるが
それはいいのかって話だよな >>473
書き換え可能なEPROMが出来たのは４０年以上前の話で、ROMはリードオンリーメモリーだけど
歴史的に電源切っても消えない不揮発メモリーをROMって言う事になっているんだよ
だから理不尽だけどフラッシュはROM >>474
つーことは文字通り言葉通りに受け取っていれば
イングリッシュネイティブな人たちも同じように
リードオンリーメモリー？？？となっているってことか。
英語でこういうのはあんまり見たことがないな。
日本語ではよく見るけど。
まさか開発者は日本人とか言わないよな？ｗ 結局、書き換える場合に先ず「消去」を行う必要があるから、「RAM」とは
言え無いんだよな。（しかも寿命が比較的短いし。）
EEPROMは１ワードづつ消去＆書込みだったのが、フラッシュは１ブロック単位
で消去して、書込みはワード単位（の筈？）だし。 まぁでもスマホのrom16GBとかって表記に
違和感感じるのはわからんでもないよ
理不尽だよね
SSDやSDメモリーカードはromとは言わないのにな 慣れだろう。
スマホの内臓ストレージはメモリーなんだからRAMかROMかになる。
何度も書き換えられないという点と読み書き速度が遅いという点の二つの理由で
ROMにしか見えない。RAMとしても使い物にならないし。 スマホでRAMと呼ばれているものも
中身はEEPROMの仲間なんではないのか？ ああそうか、電源供給がなくなるとメモリーが消えるから動作の違いがあるのか。
なんていえばいいんだろう、
モノの動作原理や発想からして全く別物なんだっけ？ koboのストレージにはマイクロSDが使用されていたが表記はどうだっけ？ TLCだとデータがすぐ消えるって記事があったけど本当？
USBメモリにWindows 10のインストーラ入れてるんだけど
半年経ったら消えてるとかあるんかな そういや最近は RAM/ROMの境界がいろいろ崩れてきたような SSDのことであれば、このスレだかで前に教えてもらったな。
エンタープライズ向けはすぐ揮発して、
コンシューマー向けだと約1年だったかな？ JEDECに準拠したSSDなら（TBWを明記しているもの）
TBW到達した時点で下記の期間が保証されている、あくまで最低期間
クライアントは緩い訂正不可能エラーレートも許容されている
クライアント：30℃の保管で1年間のデータ保持、訂正不可能エラーレート10-15乗以下
エンタープライズ：40℃の保管で3ヶ月のデータ保持、訂正不可能エラーレート10-16乗以下 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
