ＳＫハイニックスが世界で初めて１２８層の４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期（７−１２月）に製品の量産に入る。従来の９６層の４Ｄ　ＮＡＮＤと比較すると生産性が４０％向上するという。

ＳＫハイニックスは２６日、「１２８層１テラビット（Ｔｂ）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ　Ｌｅｖｅｌ　Ｃｅｌｌ）４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年１０月に９６層４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発してから８カ月ぶりだ。

ＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなどメモリー半導体価格が落ちる中、ＳＫハイニックスが今年１−３月期に赤字を出したＮＡＮＤ型フラッシュメモリー分野で突破口を開こうとしている。従来の３Ｄ　ＮＡＮＤフラッシュ工程と比較して半導体設計過程で最大の難題となる面積問題を解決し、生産効率を高めた。

ＳＫハイニックスは「同じ４Ｄプラットホームを活用しながらも工程の最適化で９６層に３２層を追加積層し、全体の工程数を５％減らした」と説明した。
https://japanese.joins.com/article/901/254901.html