>>141
磁気結合なんて、Intelもサムスンも研究していない。　もともと電気信号なので、磁気結合
するには、電気⇔磁気の変換が必要な上、半導体チップ上みたいな近接した場所だと、
隣接する信号間の遮蔽が必要。　電気信号ならMOS構造で絶縁できるが、もともと磁性体
ではない半導体チップ上で、磁気シールド回路の構成は非現実的。

自称フラッシュメモリ発明者も詐欺師同然ですよ。

本人が発明したのは、フラッシュメモリという名称と、シーケンシャルアクセスに特化することで
アクセス回路を簡略し、記録密度を上げたNANDフラッシュだけで、NOR型フラッシュもNAND型
フラッシュも、基本となる記憶素子自体の特許はサンディスク創業者が発明したもの。