【半導体】ＮＡＮＤ一本足の東芝メモリに暗雲
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活況の半導体メモリーに変調の兆しが出てきた。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの市況は調整局面に入り、ＮＡＮＤ専業の東芝メモリにとって収益の先細り懸念が浮上。一方でＤＲＡＭ価格は上昇が続き、これら両方のメモリーで世界首位の韓国サムスン電子は投資の軸足をＤＲＡＭに移す。売却手続きまっただ中の東芝メモリに暗雲が漂い始めている。
ＮＡＮＤ価格は標準品（ＴＬＣの64ギガビット品）の大口価格で3.5ドル前後で推移している。ただ需給に敏感な「スポット（随時取引）価格」は３カ月前に比べて１割低下した。スマートフォン（スマホ）市場の世界的な冷え込みなどでメモリーの在庫調整が始まっている。
今の業績は好調だ。14日発表の東芝メモリの2017年10〜12月期の売上高は前年同期比36％増の3138億円で営業利益は同2.3倍の1177億円。営業利益率は37.5％と「過去最高水準」（東芝）だった。
東芝メモリの生産拠点、四日市工場（三重県四日市市）では、今夏の稼働を目指した第６製造棟の建設・整備が急ピッチで進む。データ容量を飛躍的に高められる３次元（３Ｄ）メモリーの最先端品、96層の量産装置の搬入を急ぐ。
「昨年末からラムの装置を確保しやすくなった。第６棟の立ち上げも順調だ」。現場技術者の声は明るい。確保できたのは米半導体装置大手ラム・リサーチの「ドライエッチング」という工程を担う装置で、３Ｄメモリーの歩留まり（良品率）向上の要とされる。メモリー各社が一斉に発注を増やし、一時は納期が危ぶまれていた。
ただ、この話には裏がある。同装置を大量発注していたサムスンがキャンセルを申し出たのだ。サムスンはメモリー主要拠点の平沢（ピョンテク）工場でＮＡＮＤの増産を計画していた。
しかし昨秋以降、データセンター事業者らから供給能力を上回る最先端ＤＲＡＭの発注を受け、投資先をＮＡＮＤからＤＲＡＭに切り替えた。
ＪＰモルガン証券の試算では、サムスンの18年の設備投資計画はＤＲＡＭが前年比24％増の114億ドル（約１兆2000億円億円）なのに対し、ＮＡＮＤは同32％減の71億ドル（約7500億円）を計画しているという。
ＤＲＡＭ市場はサムスンと韓国ＳＫハイニックス、米マイクロン・テクノロジーの３社寡占市場となっている。ＳＫハイニックスやマイクロンもＮＡＮＤの変調を見越してＤＲＡＭ投資を積み増す方針で、市況の変化に柔軟に対応する。
一方のＮＡＮＤ市場はこれら３社に加えて東芝メモリと米ウエスタンデジタル、米インテルの計６社がひしめく混戦市場だ。ＤＲＡＭに比べると、市況は軟調になりやすい。実際に６社すべてが増産投資に動き、供給量が増加。さらにスマホ市場の減速もあって、価格が崩れ始めている。
東芝メモリが17年10〜12月期に達成した売上高営業利益率37.5％という数字は過去最高水準だが、ＤＲＡＭ勢はさらに上をいく。サムスンやＳＫハイニックス、米マイクロン・テクノロジーはいずれも45％を超える高収益を確保した。中でもサムスンの半導体事業は51.6％という驚異的な数字をたたき出した。
ＮＡＮＤ単一事業の東芝メモリは、競合他社がＮＡＮＤの設備増強を抑える間に生産設備を確保し先手を打ちたいところ。しかし思わぬところからストップがかかった。東芝メモリの売却完了後に株主になる１社が追加の設備投資に難色を示したのだ。
大株主となる米ベインキャピタルは昨秋「積極的な投資を企業連合で支援し、厳しい競争を勝ち残っていく」と話していた。東芝メモリは現時点では東芝の100％子会社であり「我々の投資に口出しされる筋合いはない」と技術陣は反発。独立経営を目指した東芝メモリが複雑な株主構成になることで、手足を縛られる恐れもある。
半導体業界ではＮＡＮＤ価格の変調は「一時的な調整」との見方が大勢。ただ歴史的に乱高下を繰り返してきたメモリー市況は「山高ければ谷深し」の言葉どおりの波形を描いてきた。東芝メモリが収益を安定的に稼ぐには、製品開発と歩留まり（良品率）改善のための投資が不可欠となる。（細川幸太郎）
2018/2/19 6:30
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27013030W8A210C1X20000/ 2017年12月08日
クラウドサービスやIoTなど、データセンターの大容量需要に対応
東芝、世界初の記憶容量14TB HDDをサンプル出荷開始
http://ascii.jp/elem/000/001/600/1600369/
2018/02/16
東芝 最大容量のHDD量産 フィリピン工場で
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO2701434016022018TJ1000/ >>15
メモリの前に5年くらいでマザーボードが死んで、
その頃には同規格のマザーボードはてに入らなくなってると思う。 >> サムスン死亡宣告キターーーーーーーーーーーッ
記憶容量、DRAMの10倍以上へ 東北大が新素子MRAM開発 ：日本経済新聞
東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、
新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、
省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。
開発したのはスマートフォン（スマホ）などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを
保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」と呼ぶ。
電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、
素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）メートルにとどまっている。
研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、
動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの
大容量メモリーが実現できる」と話す。
2018/2/17 19:12 日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27057540X10C18A2000000/ さて東芝さんハイニックス切れるかな、産総研の案件だから技術流出はダメね！！
SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM
https://pc.watch.impress.co.jp › イベント › ISSCC › 2017
2017/02/09 - 最近になってSTT-MRAMはようやく、DRAMに近いギガビット級の
大容量を達成できる見通しが出てきた(関連記事「ギガビット時代に突入する
STT-MRAM」)。その最先端を走るのが、SK Hynixと東芝のSTT-MRAM共同開発チームである。 サムスンは、建造予定のNANDラインをDRAMに転用してるからな
DRAMのほうが儲かると予想してる >>121 馬鹿乙。
今の産総研なんてチョンとチャンコロだらけでどこの研究機関か解からん状態。
日本終わってんだよ。 産総研って特亜価値観から一番遠くにある組織だぞ
連中に産総研がやってることの意味が理解出来る訳ねぇよ >>124 馬鹿乙。
今や中韓の研究者だらけで。
底辺は知らんだろがね。
マジアベチョンの日本SHINE半端無い状態 産総研（202 人）も外国人が居るのか、京大の核物理研究所には北関係の教授が居るし
東芝はハイニックスと共同研究、技術防衛なんて不可能か、残念だね。
1.7.4 外国人研究者. (1)在籍状況. 外国人研究者の総数は 1,096. 人で、研究者全体の 7.3％を占. めた。
雇用形態別では常勤非任期付. が 158 人（対前年度比＋5.3％）、. 常勤任期付が 576 人（同＋. 9.7％）、
非常勤が 362 人（同△. 8.1％）であった。 個別の法人を見ると、人数が. 多い法人から理研（305 人）、
次. いで物材機構（295 人）、産総研（202 人）であった。 >>34
iPhoneの販売台数は不調でも高価格のおかげで売上は好調みたいだぞ。薄利多売は労ばっかで益が無いんだなあ。 >>129
【衝撃】 SSDは7日通電しないとデータをロストする。
こちらは、25度だと1〜7年、30度だと半年〜3年と40度で約13週間(=約3ヶ月)、
45度では7週間、50度では4週間、5度上がるごとに データ保持期間が半分になるという
その点、東芝製不揮発性磁気メモリーMRAM 通電不要
優れた高温データ保持特性 （Tc>500℃）
半永久的にデータの読み出しと書き込みを繰り返し可能
アクセス時間は3.3ナノ秒を実現するとともに、
SRAMと比べて消費電力を10分の1以下に抑えている。
【メモリ速度比較】 SRAM=1秒 DRAM=10秒 内蔵SSD=10時間 外付けSSD=1週間 HDD=論外 需要がないのに作ってばかりでは意味はない
因みに無理に需要を起こす事を需要とは言わないww 東芝のフラッシュの生産ラインで機動的にDRAMを作れないのか？ >>134
NAND使ったSSDって話に、頓珍漢なレスするな >>123
おめーがバカだろ。
産総研の中に何人かチョンやチャンがいるだけで大部分は日本人だ。
ウンコがレスすんなや >>93
日本人がハンコの角度で礼儀や目上の人間に対する態度を考えてる間に外人はビジネスを進める。
日本人が前回の議事録を馬鹿丁寧に何日かけても修正してる内にに外人はビジネスを進める。
日本人が３人で済む会議を１０人集めてる間に外人はビジネスを進める。
日本人がテレビ番組でテロップをはがしてる間に外人はその１０倍の情報をテレビで流してる。 >>134
容量とビットコストがいまのNANDと同レベル以上になればどんどん普及するよ >>147
判子の角度は大事よ
上下逆さまに押してる時は
俺はこの内容に納得できないけど
しょうがないから押したって意思表示よ >>151
そんなら押すなよな。
それでプロジェクト止めた責任もしっかりとれ。
決済権持ってるのに行使できない管理職は不要。 【衝撃】 SSDは7日通電しないとデータをロストする。 不揮発性磁気メモリーMRAMの時代だな。
こちらは、25度だと1〜7年、30度だと半年〜3年と40度で約13週間(=約3ヶ月)、
45度では7週間、50度では4週間、5度上がるごとに データ保持期間が半分になるという
その点、東芝製不揮発性磁気メモリーMRAM 通電不要
優れた高温データ保持特性 （Tc>500℃）
半永久的にデータの読み出しと書き込みを繰り返し可能
アクセス時間は3.3ナノ秒を実現するとともに、
SRAMと比べて消費電力を10分の1以下に抑えている。
【メモリ速度比較】 SRAM=1秒 DRAM=10秒 内蔵SSD=10時間 外付けSSD=1週間 HDD=論外 >>155
MRAMはもう四半世紀前からずっとポストDRAM言い続けてるな >>156今まではビット単価的にDRAMに勝てなかったからね、やっと勝てる目途が付いた分けで。
記憶容量、DRAMの10倍以上へ 東北大が新素子MRAM開発 ：日本経済新聞
東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、
新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、
省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。
開発したのはスマートフォン（スマホ）などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを
保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」と呼ぶ。
電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、
素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）メートルにとどまっている。
研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、
動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの
大容量メモリーが実現できる」と話す。
2018/2/17 19:12 日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27057540X10C18A2000000/ >>1
売り時を逃したから東芝存続の可能性が高まったんだぞ
売り手からすりゃ高値で売りたいと思うのが当然だろ、買い手はその逆
アメリカがバブルはじけそうで買い手がしりごみするのはわかる >>10
続けてたらもっと赤字出してた
他社も巻き添えだったが >>153
大人の事情で押さなければならないときあるみたいよ
押さないと話が進まないから さっさと押せってある見たい
俺は下っ端だから ただ見てるだけだけど >>161
了解してないのにOKだす管理職なんかいたら、内部統制破綻するよ。
そんな役職不要だし有害。 >>163
5年後の実用化を目指す＝実用のめどは無い技術
だよ >>155
>半永久的にデータの読み出しと書き込みを繰り返し可能
ダウト >>22
その社長はスマホ需要を予期して銀行に説明しても
「今更新しい携帯なんて売れるわけないだろ」と理解されず倒産 東芝の粉飾決算が明らかになってもう何年目よ？
まだ会社の整理もできないの？ もともとは粉飾で始まったのに会計事務所が撤退したりとかしてエクストリーム決算、それがどうどうとまかり通る東証が糞だな。
自浄作用なんかあったもんじゃない。
来週上がったらそこから日経下げのオプション買って昼寝するわ 坂本氏中国で巨大工場立ち上げるとか言ってたけどやめにしたのかな
最近さっぱり聞かないが どのみちお高いんだから大した変化ないだろ。何をいまさら 産業構造から見直さないとどのみち儲かんないんだからいいじゃない。 nandってスケバン刑事の二代目だよな
(´・ω・｀)b >>177
NVRAMが実用化されつつあるのに、凄い低レベルな事をしている印象。
朝鮮人に勝ちを譲る義理は無いものの、どっちが勝っても早晩どうでも良くなりそうな話しだと思う。 半導体は次のターンが地雷だとわかってても地雷を踏みに行くんだよ
その爆死時代を乗り越えた会社だけが生き残っていける ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
