0001ノチラ ★
2017/11/30(木) 00:05:07.73ID:CAP_USER第2世代の10nm FinFETプロセスは「10LPP(Low Power Plus)」技術とされており、第1世代の10LPE(Lowe Power Early)製品よりも最大10%高性能であるか15%低消費電力という。
10LPP採用のデバイスは来年(2018年)の初頭に登場予定とのことで、1年を通して採用製品の拡大を狙う。
また、Samsungは韓国華城市に設けた新たな製造ライン「S3」にて10nm以下のプロセスを採用する製品の生産準備が整ったと伝えており、同工場ではEUVを利用した7nm FinFETの量産を行なう見込みである。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1094139.html