【半導体技術】産総研など、SiCウェハの鏡面研磨を従来比で12倍高速化する技術を開発 [すらいむ★]

[13 名無しのひみつ 2021/09/03(金) 08:30:38.09 ID:2w2lhzCn]

>>12
主流ならSiは12”、SiCは6”じゃね？
次世代のSiなら18”だけど、製造装置の価格が爆上がりだし。