2次元半導体の基盤技術に..物材機構と東大、二硫化モリブデンの単層単結晶膜を形成

　物質・材料研究機構（NIMS）の佐久間芳樹NIMS特別研究員と東京大学の長汐晃輔教授らは、二硫化モリブデン（MoS2）の単層単結晶の成膜技術を開発した。
　2インチウエハーの全域に均一な膜を作れる。
　二硫化モリブデンはサブ1ナノ世代の2次元半導体の材料になる。
　トランジスタを作製したところ高い移動度を確認した。
　2次元半導体の基盤技術になる可能性がある。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ　1/26(月) 16:10
https://news.yahoo.co.jp/articles/6c32a8833be70f33f8c0edd4036adf865e958c5f