次世代素材「グラフェン」製のマイクロチップでPCやスマホを何千倍も高速化できる可能性
炭素原子の六角形格子構造で構成されており、およそ原子1粒分という非常に薄いシート状の物質が「グラフェン」です。
この次世代素材であるグラフェンを折り紙のように折り畳むことで、従来よりもはるかに小さいマイクロチップを作ることができるという論文が発表されました。
(中略)
これまで、グラフェンや二硫化モリブデンなどのシート状のナノ物質の構造を変形させると、電気特性が変化することはわかっていました。
しかし、どのように折ればどのような電気特性を得られるのかは解明されていませんでした。
論文を発表したイギリスのサセックス大学の研究チームによれば、グラフェンに意図的にねじれを作り出すことで、グラフェンシートが電子部品のような性質を持つとのこと。
クシャクシャに折り畳んだグラフェンはマイクロチップのように機能し、従来のマイクロチップのおよそ100分の1の大きさになることが判明しました。
(以下略、続きはソースでご確認下さい)
Gigazine 2021年02月16日 13時47分
https://gigazine.net/news/20210216-graphene-microchip/
【素材】次世代素材「グラフェン」製のマイクロチップでPCやスマホを何千倍も高速化できる可能性 英研究 [すらいむ★]
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1すらいむ ★
2021/02/17(水) 11:14:38.61ID:CAP_USER2名無しのひみつ
2021/02/17(水) 11:17:03.98ID:hZL4t0sb なるほど
2021/02/17(水) 11:17:52.68ID:KUbAisSX
性能アップもだけどダウンサイジングは応用が広がりそう
5名無しのひみつ
2021/02/17(水) 11:36:10.86ID:wwh4sh6D グラッフェグラッフェ
6名無しのひみつ
2021/02/17(水) 11:37:34.61ID:I6inX5F7 >>4
速度が同じでも移動距離は短くなるんだぜ。
速度が同じでも移動距離は短くなるんだぜ。
2021/02/17(水) 11:38:59.44ID:b03e5w04
CNTで200ghzってIBMが20年前に言ってた
2021/02/17(水) 12:22:22.28ID:y1NQqq8I
日本何か成果あげろこれで
10名無しのひみつ
2021/02/17(水) 17:24:42.26ID:k+EEJI4d これでまたしばらくはムーアの法則が続くのか
11名無しのひみつ
2021/02/17(水) 18:35:23.50ID:EvmmK1Fu 炭素は熱伝導率が高いと聞いたはやく冷え冷えヒートシンク作ってくれ
12名無しのひみつ
2021/02/17(水) 18:41:38.60ID:nmzlQLNa 次世代半導体デバイスとしてCNTやグラフェンなんて前からあるし
研究開発では極東の独擅場
研究開発では極東の独擅場
13名無しのひみつ
2021/02/17(水) 18:56:44.81ID:CjDgd6YY ドラクエでルーラを覚える町だっけ?
14名無しのひみつ
2021/02/17(水) 19:03:31.17ID:iBKm8p0O 可能性がビレゾン
15名無しのひみつ
2021/02/17(水) 19:12:03.11ID:im53UmMI 実用は数十年後とかなんだろ?
16名無しのひみつ
2021/02/17(水) 19:14:27.37ID:BGgxIToB セックスをさせてくれる大学
18名無しのひみつ
2021/02/21(日) 08:35:12.62ID:zmQahVs/ シリコンの中の電荷の移動速度はとても鈍い。だから電荷の移動速度の速い
材料を使えば、原理的にはもっと動作周波数の高い回路素子が作れるわけだ。
だが、電力や素子の寿命などがどうなるか。それらは概して望ましくないことになる。
材料を使えば、原理的にはもっと動作周波数の高い回路素子が作れるわけだ。
だが、電力や素子の寿命などがどうなるか。それらは概して望ましくないことになる。
20名無しのひみつ
2021/02/21(日) 22:28:25.45ID:zmQahVs/ 電流の謎 - 電流の速さ
http://www.mogami.com/puzzle/pzl-05.html
> 銅の場合、衝突から次の衝突までの時間間隔は
> 5.26e-45 秒で、自由電子の平均偏流速度は、
> 4.62e-3 (m/s)/(V/m)
>になります。つまり、長さ 1 m の銅線の両端に 1 V の電圧を加えたとき、
>自由電子の長さ方向の速度は 4.62 mm/S ということです。
>随分遅いものだと、びっくり しますが、
良伝導体である金属の銅ですら、電荷の移動速度はあまりたいしたことはない。
しかし、電気信号としては、光速の数分の一程度の速度で伝わる。
集積回路のトランジスタのように数nm程度の狭い層をはさんで
数ボルトの電圧が掛かっている場合には、電界強度が高いので
電荷の平均移動速度は高くなるけれども、それでも光速に比べれば
うんと速度は遅いのだ。しかも半導体の場合には、電荷が拡散的に
流れているから、電界強度に沿ってスムーズに動くのよりもさらに
もっと遅くなるのだろう。電荷の移動が遅いと、スイッチを入れ
たり切ったりしたとき、それに応答して増幅するまでの時間が
かかってしまうので、高速な応答ができないのだ。たとえば
CPUのクロックの速度をあまり上げられないなどとなる。
http://www.mogami.com/puzzle/pzl-05.html
> 銅の場合、衝突から次の衝突までの時間間隔は
> 5.26e-45 秒で、自由電子の平均偏流速度は、
> 4.62e-3 (m/s)/(V/m)
>になります。つまり、長さ 1 m の銅線の両端に 1 V の電圧を加えたとき、
>自由電子の長さ方向の速度は 4.62 mm/S ということです。
>随分遅いものだと、びっくり しますが、
良伝導体である金属の銅ですら、電荷の移動速度はあまりたいしたことはない。
しかし、電気信号としては、光速の数分の一程度の速度で伝わる。
集積回路のトランジスタのように数nm程度の狭い層をはさんで
数ボルトの電圧が掛かっている場合には、電界強度が高いので
電荷の平均移動速度は高くなるけれども、それでも光速に比べれば
うんと速度は遅いのだ。しかも半導体の場合には、電荷が拡散的に
流れているから、電界強度に沿ってスムーズに動くのよりもさらに
もっと遅くなるのだろう。電荷の移動が遅いと、スイッチを入れ
たり切ったりしたとき、それに応答して増幅するまでの時間が
かかってしまうので、高速な応答ができないのだ。たとえば
CPUのクロックの速度をあまり上げられないなどとなる。
21名無しのひみつ
2021/02/22(月) 10:03:36.66ID:mB9t+F0R 最近はCPUやメモリのクロックが上がらなくてつまらないな。
昔の調子でドンドンクロックが向上しつづけていたならば、
今頃は数テラヘルツにも到達していたかもしれないのにな。
昔の調子でドンドンクロックが向上しつづけていたならば、
今頃は数テラヘルツにも到達していたかもしれないのにな。
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