半導体の電力損失20％低減…三菱電機など、「自由電子」を解明した意義

　三菱電機、東京科学大学、筑波大学、Quemix（キューミックス、東京都中央区、松下雄一郎社長）の4者は、シリコンに注入した水素が特定の欠陥と結合することで自由電子を生成するメカニズムを解明した。
　パワー半導体のキーデバイスである絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）の電子濃度制御の高度化に役立つ。
　IGBTの構造設計や製造方法の最適化が可能となり、電力損失の低減につながる成果だ。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

ニュースイッチ　1/21(水) 16:10
https://news.yahoo.co.jp/articles/15638f0e72d8c066d7b8b21b5c86d257f793d7a9