【半導体】阪大、不明だった絶縁膜/SiC界面発光中心のエネルギー準位を解明 [すらいむ★]

**すらいむ ★** · 2025/03/05(水) 21:54:15.21

阪大、不明だった絶縁膜/SiC界面発光中心のエネルギー準位を解明

　大阪大学(阪大)と豊田中央研究所(豊田中研)の両者は2月28日、これまで不明だった、絶縁膜/炭化ケイ素(SiC)界面発光中心のエネルギー準位を解明することに成功したと共同で発表した。

　同成果は、阪大大学院工学研究科の小林拓真准教授、同・大西健太郎大学院生、同・中沼貴澄大学院生、同・渡部平司教授、豊田中研の遠山晴子博士、同・田原康佐博士、同・朽木克博博士らの共同研究チームによるもの。
　詳細は、米国物理学協会が刊行する材料科学を扱う学術誌「APL Materials」に掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2025/03/04 18:58
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20250304-3142212/

**名無しのひみつ** · 2025/03/06(木) 06:38:35.55

量子コンピューターの材料が安価になりますか

一分の部品だけが効果みたいなので安価になるのなら

一般用にも販売可能になる

**無名でも進学** · 2025/03/09(日) 13:52:32.38

>>2って光半導体やそれを組み込むIOWNに当てはまる?

**名無しのひみつ** · 2025/03/23(日) 01:23:24.03

700℃以上で酸化すると言われてる性質があるとネットで調べることができるね
この酸化を通じて発光の度合いの変化が一致することで理解を深めることができたんだね