東北大、内部構造を制御することで分子の磁性のON/OFFを実現 TECH+(テックプラス)
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20221020-2485402/
2022/10/20 10:48
著者:波留久泉
東北大学は10月18日、セリウム(Ce)原子を上下から環状化合物の「フタロシアニン(Pc)配位子」でサンドイッチした「CePc2分子」を用いて、もともと磁性を持たない分子が金属表面上で薄膜を形成し表面で高い充填率を示す場合に、自己組織的に内部構造を変化させることで磁性を発生させるという、新たな手法を開発したことを発表した。
同成果は、東北大 多元物質科学研究所の米田忠弘教授、城西大学大学院 理学研究科の加藤恵一准教授、東北大大学院 理学研究科の山下正廣名誉教授、物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の荒船竜一主任研究員らの共同研究チームによるもの。詳細は、米国化学会が刊行するナノ・低次元・バルク材料の物理化学を扱う学術誌「The Journal of Physical Chemistry C」に掲載された。
(略)
※省略していますので全文はソース元を参照して下さい。
東北大、内部構造を制御することで分子の磁性のON/OFFを実現 [少考さん★]
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1少考さん ★
2022/10/20(木) 18:29:09.16ID:GY9aHhwJ2022/10/20(木) 18:56:39.62ID:PufPg1mY
どこまで微細化・極小化が進むんだろこの分野
行く行くは原子1つ1つを直接操ろうとしてるようにしか見えん
行く行くは原子1つ1つを直接操ろうとしてるようにしか見えん
3名無しのひみつ
2022/10/21(金) 00:05:04.05ID:BpfO9jFz この研究成果は大きいな
2022/10/21(金) 00:13:27.59ID:5s27fNQJ
磁性のオンオフ出来るのか
また一歩永久機関に近づいたな
また一歩永久機関に近づいたな
2022/10/21(金) 07:16:22.77ID:WDFfeIOL
半導体なんかも作れるんだろな
7名無しのひみつ
2022/10/21(金) 12:42:31.66ID:QeHiEPre バッテリーの寿命に困らなくなる日が来るのか?
8名無しのひみつ
2022/10/21(金) 12:54:15.70ID:9i5fy+p8 はよ永久機関が作れますように!
2022/10/21(金) 13:30:44.67ID:onKVgrys
フリーエルネギーの研究をすると馬鹿にされるようになってるのは陰謀だと思うし
10名無しのひみつ
2022/10/21(金) 21:14:21.66ID:FrefZQQC バッテリーってマジで煩わしいから早く代替の永久エネルギーできてほしい
11名無しのひみつ
2022/10/22(土) 21:16:47.30ID:5lDzkgDQ 期待
12名無しのひみつ
2022/10/23(日) 22:24:07.30ID:V/bRoDu+ バッテリー気にせずスマホ使える時代が来るのか
13名無しのひみつ
2022/10/26(水) 01:35:18.86ID:aOf2n7Mo 夢のような時代だな
14名無しのひみつ
2022/10/29(土) 19:29:14.98ID:yYuB9/oN ワクワクが止まらない
15名無しのひみつ
2022/10/29(土) 21:54:38.30ID:A31m7X2R >>1
>>リンク先
セリウムは価電子揺動を示す原子として知られており、+4、+3のイオン状態のエネルギー差が小さく、状態間を遷移しやすい。
CePc2分子の場合+4では磁性はないが、+3の場合にはセリウム原子と配位子のπ軌道にスピンが偏極することで磁性が示される。
CePc2分子を金(111)表面上に昇華法によって薄膜形成した場合、下部のフタロシアニン配位子が金表面でフタロシアニン独自の安定構造を取ろうとする。
もし上部のフタロシアニンが分子結晶で見られるθ=45度を保って積層した場合、立体障害が生じ配位子が衝突してしまう。
このとき、分子はθ=45度からθ=0度に配位子を回転させてスリムになることで、高密度の薄膜を形成しようとし、同時に分子に磁性が生じるという
センサーくらいにしか使えなさそう
逆に磁場を加えてセシウムの電荷を変化させることができるならメモリとして使えるだが
>>リンク先
セリウムは価電子揺動を示す原子として知られており、+4、+3のイオン状態のエネルギー差が小さく、状態間を遷移しやすい。
CePc2分子の場合+4では磁性はないが、+3の場合にはセリウム原子と配位子のπ軌道にスピンが偏極することで磁性が示される。
CePc2分子を金(111)表面上に昇華法によって薄膜形成した場合、下部のフタロシアニン配位子が金表面でフタロシアニン独自の安定構造を取ろうとする。
もし上部のフタロシアニンが分子結晶で見られるθ=45度を保って積層した場合、立体障害が生じ配位子が衝突してしまう。
このとき、分子はθ=45度からθ=0度に配位子を回転させてスリムになることで、高密度の薄膜を形成しようとし、同時に分子に磁性が生じるという
センサーくらいにしか使えなさそう
逆に磁場を加えてセシウムの電荷を変化させることができるならメモリとして使えるだが
16名無しのひみつ
2022/11/05(土) 10:31:36.60ID:mPtRdpJW 夢があるな
18名無しのひみつ
2022/11/11(金) 09:48:26.08ID:sNtO1M8c19名無しのひみつ
2022/12/09(金) 14:25:06.32ID:S3SozsNc 期待
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