【半導体】産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発 [すらいむ★]

**すらいむ ★** · 2022/04/28(木) 20:41:46.28

産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発

　産業技術総合研究所(産総研)は4月27日、窒化物半導体、特に「窒化インジウム」(InN)や、インジウム含有率の大きい「窒化インジウムガリウム」(InGaN)に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発したと発表した。

　同成果は、産総研窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論ラボチーム長、同・熊谷直人チーム付、同・山田永ラボチーム長、産総研電子光基礎技術研究部門の榊田創研究部門付、同・清水鉄司研究グループ長らの研究チームによるもの。
　詳細は、材料科学および材料工学に関する学際的な分野全般を扱う学術誌「Applied Materials Today」に掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/04/28 18:04
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220428-2333025/

**名無しのひみつ** · 2022/04/28(木) 22:18:02.01

何種類あんの次世代半導体って

**名無しのひみつ** · 2022/04/29(金) 11:06:41.95

>>2
たぶんあらゆる元素を使うのだろうね
記事によるとインジウムは扱いにくいということらしい
プラズマ窒素を使ってインジウムをくっつけるとなってるね
そのうちプラズマ希ガスが登場しそう

**名無しのひみつ** · 2022/05/01(日) 16:18:40.90

なるほど！

さっぱりわからんｗ

**名無しのひみつ** · 2022/06/04(土) 03:13:47.37

どうなの？