NTTが世界初の新型トランジスタ　次世代パワー半導体の実験成功

　NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。
　将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に向けた次世代「パワー半導体」として期待される。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

朝日新聞デジタル　4/22(金) 15:00
https://news.yahoo.co.jp/articles/bf46733af37340e97752bb7c449923787d02cca4