次世代メモリ開発の加速に向けSOT方式に適した新材料を東工大などが開発
著者：波留久泉

　東京工業大学(東工大)は2月15日、高いスピン流生成効率と高い熱耐久性を両立するハーフホイスラー型トポロジカル半金属(HHA-TSM)の一種である、イットリウム・プラチナ・ビスマスからなる「YPtBi」薄膜の作製およびその動作実証に成功したことを発表した。

　同成果は、東工大工学院 電気電子系のファム・ナムハイ准教授、同・白倉孝典大学院生、キオクシア メモリ技術研究所 デバイス技術研究開発センターの近藤剛主幹らの共同研究チームによるもの。
　詳細は、英オンライン総合学術誌「Scientific Reports」に掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2022/02/16 19:36
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220216-2273956/