東京大学ら、FeAs-InAs単結晶超格子構造を作製
超格子構造全体が強磁性状態に

■低温分子線エピタキシー結晶成長法で実現

　東京大学らの研究グループは2021年7月、InAs（インジウムヒ素）半導体結晶中のほぼ1原子層の平面にFe（鉄）原子を配列した「FeAs-InAs単結晶超格子構造」を作製することに成功し、さまざまな新しい物性を観測したと発表した。

　InAsは高速トランジスタや長波長光デバイスに用いられる半導体である。
　この中に、「高温超伝導」や「高温強磁性」といった特性を持つFe-As正四面体結合を、高密度に配列させる研究が進められている。
　Fe-As正四面体結合が平面内に配列し積層された材料は、Fe原子同士のスピンが反平行方向に結合し、高温で超伝導状態を示すことなどが知られている。
　しかし、Feは固溶度が低く相分離してしまうため、作製することは極めて難しかったという。

（以下略、続きはソースでご確認下さい）

ITmedia 2021年07月12日 09時30分
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2107/12/news034.html