【半導体技術】SiCの研磨効率を従来比で10倍向上させる加工技術を立命館大が開発 [すらいむ★]
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SiCの研磨効率を従来比で10倍向上させる加工技術を立命館大が開発
著者:小林行雄
立命館大学は11月30日、次世代パワー半導体材料であるSiCの研磨効率を従来の10倍に向上させる加工技術の開発に成功したことを発表した。
同成果は、同大 理工学部機械工学科2020年度卒業生のChe Nor Syahirah Binti Che Zulkifle氏、同大 理工学研究科博士課程前期課程機械システム専攻2回生の巴山顕真氏、および同 村田順二 准教授らの研究グループによるもの。
詳細はElsevier発行の国際学術雑誌「Diamond and Related Materials」に掲載された。
(以下略、続きはソースでご確認下さい)
マイナビニュース 2021/11/30 19:46
https://news.mynavi.jp/article/20211130-2209238/ Che Nor Syahirah Binti Che Zulkifle氏
中国人? どうするのかな? ダイヤの粉を使って磨くのかな?それともサファイアの粉か?
それともシリカを使うのか? スラリーだけで研磨できるのかな
電解メッキで何か均一についてるから剥がす >>1
SiCで研くのかと思ったら
SiCを磨くのか
ややこしい 立命館大学って地味に日本を強くする研究成果が多いな シリコンを磨くのに、クルミの皮の粉と酸化セレン粉末だとかを使うとかなんとか。 ベンガラを水で練ってから薄くウェーハーに塗って、
ウレタン樹脂をあてて研磨機で磨くのかな?それとも鹿革を使うのかな? 研磨に使う電気を流す極に、電流を流しながら研磨するとか? ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています