>はじめから、多値記憶方式が導入されたのである。しかも初期のわずかな期間がMLC方式で製品化されたのを除くと、
>当初からTLC方式でずっと、大容量化が進んできた。
>
> はじめからTLC方式で製品化できた大きな理由は、メモリセルが蓄積する電荷量の違いにある。
>MLC方式で15nm世代のプレーナ型NANDフラッシュに比べ、TLC方式の3D NANDフラッシュが蓄積する電荷量は、約3倍と大きい。
>電荷量だけで見ると、プレーナのMLC方式に比べて3D NANDのTLC方式は、隣接するしきい電圧間の電荷量のマージンが約3倍もあることになる。
>これは非常に大きなメリットだ。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1149330.html
もうMLCに拘る必要が無いと思う
