Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1137822.html

3D NANDフラッシュのメモリセル技術ではこれまで、電荷捕獲(チャージトラップ)技術と浮遊ゲート(フローティングゲート)技術の2つの技術が併存してきた。
電荷捕獲技術を採用しているのは、Samsung Electronics、東芝とWestern Digitalの企業連合、SK Hynixである。
浮遊ゲート技術を採用しているのは、IntelとMicronの企業連合だけだった。

電荷捕獲技術と浮遊ゲート技術を比較したときによく言われているのは、
メモリセルの構造は電荷捕獲技術が比較的単純で作りやすく、
長期信頼性、とくに高温特性に関しては浮遊ゲート技術が有利であるというものだ。
もちろん電荷捕獲技術を採用している陣営は「実用的に問題ない信頼性を確保している」と表明しており、
浮遊ゲート技術を採用している陣営は「コストの競争力は十分にある」と主張してきた。