intelが謳うプロセスノードを超えた10nmのハイパースケーリング
ちょっとした計算式でトランジスタに0.6と0.4を掛けて足してロジック密度が2.7倍だ!とかいう
でも発表されてるSRAMセルサイズは14nmの0.625倍にしか縮小してないんだよね

複数ファブのAppleA9ではTSMCとSamsungのプロセスの最小寸法の差は大きかったけど
両プロセスの最小SRAMセルは1.08倍しか変わらず実際のチップはそっちに近い面積だった

TSMCの16nm→7nmを見るとSRAMセルサイズが0.386倍になっててintelの世代更新のキッチリ二乗
intelのハイパースケーリングってどれくらい信憑性があるのやら